Документация
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 25 А, 125W
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
535 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:355 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 126,49 |
| от 18 | 117,85 |
| от 30 | 110,80 |
| от 90 | 105,55 |
| от 150 | 101,63 |
Склад 12
В наличии:180 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,77 |
| от 10 | 75,51 |
Описание
Биполярный транзистор PNP от STMicroelectronics. Предназначен для работы в цепях с высоким током коллектора и рассеиваемой мощностью. Применяется в усилителях мощности, импульсных источниках питания и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| Ib | 5A |
| Ic | 25A |
| F t | 3MHz |
| Iceo | 1mA max at Vce=60V |
| Ices | 0.7mA max at Vce=100V |
| Iebo | 1mA max at Veb=5V |
| Тип | PNP |
| Vcbo | 100V |
| Vceo | 100V |
| Vebo | 5V |
| Vbe on | 2V at Ic=15A, Vce=4V, 4V at Ic=25A, Vce=4V |
| I b max | 5A |
| I c max | 25A |
| Ic peak | 50A (t<5ms) |
| Корпус | TO-247 |
| I c peak | 50A |
| Тип монтажа | THT |
| I ceo max | 1mA |
| I ces max | 0.7mA |
| I ebo max | 1mA |
| P tot max | 125W |
| V cbo max | 100V |
| V ceo max | 100V |
| V ceo sus | 100V |
| V ebo max | 5V |
| Размеры | A: Max: 5.15; Min: 4.85; Typ: —; D: Max: 20.15; Min: 19.85; Typ: —; E: Max: 15.75; Min: 15.45; Typ: —; L: Max: 14.8; Min: 14.2; Typ: —; S: Max: —; Min: —; Typ: 5.5; B: Max: 1.4; Min: 1; Typ: —; C: Max: 0.8; Min: 0.4; Typ: —; E: Max: —; Min: —; Typ: 5.45; A1: Max: 2.6; Min: 2.2; Typ: —; L1: Max: 4.3; Min: 3.7; Typ: —; L2: Max: —; Min: —; Typ: 18.5; B1: Max: 2.4; Min: 2; Typ: —; B2: Max: 3.4; Min: 3; Typ: —; ØP: Max: 3.65; Min: 3.55; Typ: —; ØR: Max: 5.5; Min: 4.5; Typ: — |
| H fe max 2 | 50 @ Ic=15A, Vce=4V |
| H fe min 1 | 25 @ Ic=1.5A, Vce=4V |
| H fe min 2 | 10 @ Ic=15A, Vce=4V |
| Применение | audio amplifier, general purpose |
| Корпус | TO-247 |
| V be on max 1 | 2V @ Ic=15A, Vce=4V |
| V be on max 2 | 4V @ Ic=25A, Vce=4V |
| V ce sat max 1 | 1.8V @ Ic=15A, Ib=1.5A |
| V ce sat max 2 | 4V @ Ic=25A, Ib=5A |
| Vce saturation | 1.8V max at Ic=15A, Ib=1.5A, 4V max at Ic=25A, Ib=5A |
| Коэф. усиления DC | 25 min at Ic=1.5A, Vce=4V, 10 to 50 at Ic=15A, Vce=4V |
| Vceo sustaining | 100V at Ic=30mA |
| Диапазон температур хранения | -65 to 150°C |
| Частота перехода | 3MHz at Ic=1A, Vce=10V, f=1MHz |
| Тепловое сопротивление JC | 1°C/W |
| Общая рассеиваемая мощность | 125W at Tcase=25°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Operating junction temp max | 150°C |
| Описание (англ.) | PNP 100V /25A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?