Документация
TIP34C, Биполярный транзистор TO3P
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 320 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 186,30 |
| от 50 | 82,90 |
| от 500 | 81,97 |
Описание
TIP34C — мощный PNP биполярный транзистор от STMicroelectronics. Выполнен в корпусе TO-247, рассчитан на ток коллектора до 10 А и напряжение до 100 В. Подходит для ключевых и линейных схем общего назначения, часто применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-218 (SOT-93) |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | A mm: 4.7-4.9; Емкость, мм: 1.17-1.37; Диаметр d: 2.5; E mm: 0.5-0.78; F mm: 1.1-1.3; G mm: 10.8-11.1; H mm: 14.7-15.2; R mm: 12.2; L2 mm: 16.2; L3 mm: 18; L5 mm: 3.95-4.15; L6 mm: 31; Диаметр мм: 4-4.1 |
| Применение | General purpose switching and linear |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Макс. время спада | 1 µs |
| Base current max | 3A |
| Комплементарный к | TIP33C |
| Storage time max | 0.4 µs |
| Макс. время включения | 0.6 µs |
| Структура | PNP |
| Макс. ток коллектора | 10A |
| Dc current gain hfe 1 | 40 min at Ic=1A, Vce=4V |
| Dc current gain hfe 2 | 20-100 at Ic=3A, Vce=4V |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 7V (negative for PNP) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 3 MHz |
| Base emitter on voltage 1 | 1.6V at Ic=3A, Vce=4V |
| Base emitter on voltage 2 | 3V at Ic=10A, Vce=4V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 140V (negative for PNP) |
| Collector peak current max | 12A |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 80W |
| Emitter cutoff current iebo max | 1 mA |
| Collector cutoff current iceo max | 0.7 mA |
| Collector cutoff current ices max | 400 µA |
| Small signal current gain hfe min | 20 at Ic=0.5A, Vce=10V, f=1kHz |
| Collector emitter voltage vceo max | 100V (negative for PNP) |
| Collector emitter voltage vces max | 140V (negative for PNP) |
| Thermal resistance junction case max | 1.56 °C/W |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | 1V at Ic=3A, Ib=0.3A |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | 4V at Ic=10A, Ib=2.5A |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 100 |
| Collector emitter sustaining voltage min | 100V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?