Документация
TIP34C, Биполярный транзистор TO3PN
У поставщика
ПроизводительInchange
У поставщиков
270 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:270 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 560 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,85 |
| от 50 | 50,34 |
Описание
Inchange TIP34C — это кремниевый PNP биполярный транзистор в корпусе TO-218 (SOT-93). Он рассчитан на ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, при рассеиваемой мощности 80 Вт. Подходит для применения в блоках питания, силовых ключах и усилителях мощности промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Ft | 3 MHz |
| Ib | 3A |
| Ic | 10A |
| Icm | 12A |
| Ptot | 80W |
| Тип | PNP silicon power transistor |
| Vcbo | 140V |
| Vceo | 100V |
| Vces | 140V |
| Vebo | 7V |
| Макс. HFE | 100 |
| Мин. HFE | 20 |
| Корпус | TO-218 (SOT-93) |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 0.7 mA |
| Ices max | 400 µA |
| Макс. IEBO | 1 mA |
| Тип монтажа | THT |
| Vbe on 1 | 1.6V @ IC=3A, VCE=4V |
| Vbe on 2 | 3V @ IC=10A, VCE=4V |
| Компонент | TIP34C |
| Vce sat 1 | 1V @ IC=3A, IB=0.3A |
| Vce sat 2 | 4V @ IC=10A, IB=2.5A |
| Switching tf | 1 µs |
| Switching ts | 0.4 µs |
| Vceo sus min | 100V |
| Корпус | TO-3PN |
| Switching ton | 0.6 µs |
| Hfe typical 1A | 40 |
| Hfe small signal | 20 |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power |
| Размеры упаковки | A mm: 4.7..4.9; Емкость, мм: 1.17..1.37; Диаметр d: 2.5 (typ); E mm: 0.5..0.78; F mm: 1.1..1.3; G mm: 10.8..11.1; H mm: 14.7..15.2; R mm: up to 12.2; L2 mm: up to 16.2; L3 mm: 18 (typ); L5 mm: 3.95..4.15; L6 mm: 31 (typ); Диаметр мм: 4..4.1 |
| Структура | PNP |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Thermal resistance junction case max | 1.56 °C/W |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 100 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?