Документация
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 40 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
500 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 75,59 |
| от 28 | 69,94 |
| от 50 | 65,32 |
| от 150 | 61,87 |
| от 250 | 59,28 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор TIP32AG от ON Semiconductor. Рассчитан на напряжение до 60 В, ток до 3 А и мощность 40 Вт. Выполнен в корпусе TO-220AB. Подходит для коммутации нагрузок и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220 (Case 221A, Style 1) |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | TO-220AB |
| Base current ib | 1 A |
| Derate above 25c case | 0.32 W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Derate above 25c ambient | 0.016 W/°C |
| Emitter base voltage veb | 5 V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150 °C |
| Collector base voltage vcb | 60 V |
| Collector current peak icm | 5 A |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150 °C |
| Описание (англ.) | PNP 60V 3A |
| Power dissipation case tc 25c | 40 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 60 V |
| Collector current continuous ic | 3 A |
| Unclamped inductive load energy | 32 mJ |
| Power dissipation ambient ta 25c | 2 W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.125 °C/W |
| Dc current gain hfe ic 1a vce 4v min | 25 |
| Dc current gain hfe ic 3a vce 4v max | 50 |
| Dc current gain hfe ic 3a vce 4v min | 10 |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Collector cutoff current iceo vce 30v max | 0.3 mA |
| Emitter cutoff current iebo vbe 5v ic 0 max | 1 mA |
| Base emitter on voltage vbe on ic 3a vce 4v max | 1.8 V |
| Collector cutoff current ices vce 60v veb 0 max | 200 µA |
| Current gain bandwidth product ft ic 500ma vce 10v min | 3 MHz |
| Small signal current gain hfe ic 0 5a vce 10v f 1khz min | 20 |
| Collector emitter saturation voltage vce sat ic 3a ib 375ma max | 1.2 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?