+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TIP31C
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт

Артикул:763627
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 351 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:981 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 139,97
от 5136,57
от 10133,78
от 20131,67
от 40230,11
Склад 12
В наличии:370 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 136,27
от 1036,27
Описание

Биполярный NPN транзистор TIP31C от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 3 А и мощность 40 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для коммутации нагрузок и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN Bipolar Transistor
КорпусTO-220
Тип монтажаThrough Hole
РазмерыTO-220 standard
АртикулTIP31C
ПроизводительFairchild Semiconductor
КорпусTO-220AB
Base current max1A
Complementary partTIP32C
Collector current dc3A
Частота перехода3MHz
Dc current gain min 1a25
Ток отсечки эмиттера1mA
Power dissipation case40W
Collector current pulse5A
Тип упаковкиTube (туба)
Dc current gain range 3a10 to 50
Напряжение эмиттер-база макс.5V
Макс. темп. перехода150°C
Power dissipation ambient2W
Диап. темп. хр.-65°C to 150°C
Напряжение коллектор-база макс.100V
Описание (англ.)NPN 100V, 3A, 40W (Comp. TIP32C)
Ток отсечки коллектора ICEO0.3mA
Collector cutoff current ices200μA
Макс. напр. К-Э100V
Напр. нас. база-эмиттер1.8V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2V

Заметили ошибку в описании или параметрах?