Документация
Транзистор биполярный TIP29C
У поставщика
У поставщиков
50 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 42,84 |
| от 20 | 41,64 |
| от 40 | 40,44 |
| от 80 | 39,54 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:50 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 42,84 |
| от 20 | 41,64 |
| от 40 | 40,44 |
| от 80 | 39,54 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор TIP29C от ST Microelectronics. Компонент рассчитан на ток коллектора до 1 А и напряжение до 100 В, рассеиваемая мощность — до 30 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220 для монтажа в отверстия. Подходит для применения в промышленной автоматике и силовых цепях.
Технические характеристики
| Тип | NPN power transistor |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры корпуса | D1: 1.27mm; L20: 16.40mm; L30: 28.90mm; A max: 4.60mm; A min: 4.40mm; B max: 0.88mm; B min: 0.61mm; C max: 0.70mm; C min: 0.49mm; D max: 15.75mm; D min: 15.25mm; E max: 10.40mm; E min: 10mm; F max: 1.32mm; F min: 1.23mm; L max: 14mm; L min: 13mm; Q max: 2.95mm; Мин. заряд: 2.65mm; B1 max: 1.70mm; B1 min: 1.14mm; E1 max: 5.15mm; E1 min: 4.95mm; H1 max: 6.60mm; H1 min: 6.20mm; J1 max: 2.72mm; J1 min: 2.40mm; L1 max: 3.93mm; L1 min: 3.50mm; E max pitch: 2.70mm; E min pitch: 2.40mm; P diameter max: 3.85mm; P diameter min: 3.75mm |
| Base current max | 0.4A |
| Напряжение база-эмиттер | 1.3V |
| Макс. ток коллектора | 1A |
| Макс. коэффициент усиления по току | 75 |
| Hfe мин. | 15 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 100V |
| Collector peak current max | 3A |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 1mA |
| Total dissipation at tc 25c | 30W |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 0.3mA |
| Collector cutoff current ices | 0.2mA |
| Макс. напр. К-Э | 100V |
| Total dissipation at tamb 25c | 2W |
| Max operating junction temperature | 150°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?