Документация
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
670 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:670 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 129,38 |
| от 30 | 121,42 |
| от 90 | 115,09 |
| от 150 | 109,54 |
| от 270 | 105,79 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор Дарлингтона от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 10 А и мощность 125 Вт. Выполнен в корпусе TO-247. Применяется в силовых цепях промышленной автоматики и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | bipolar_transistor |
| Ib max | 0.5A |
| Макс. ток коллектора | 10A |
| Rth jc | 1°C/W |
| Макс. Tj | 150°C |
| Мин. HFE | 500 |
| Icm max | 20A |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | PNP |
| Макс. Ptot | 125W |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -65°C |
| VCBO макс. | 100V |
| Vceo макс. | 100V |
| Vebo макс. | 5V |
| Vbe on max | 3V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3V |
| Vceo sus min | 100V |
| Корпус | TO-247 |
| Конфигурация | Darlington |
| Vceo sus test | Ic=30mA, Ib=0 |
| Internal diode | integrated_antiparallel_collector_emitter_diode |
| Время включения тип. | 0.9µs |
| Время выкл. тип. | 4µs |
| Размеры упаковки | L2: 18.50mm; A max: 5.15mm; A min: 4.85mm; D max: 20.15mm; D min: 19.85mm; E max: 15.75mm; E min: 15.45mm; L max: 14.80mm; L min: 14.20mm; P max: 3.65mm; P min: 3.55mm; R max: 5.50mm; R min: 4.50mm; S max: 5.70mm; S min: 5.30mm; S typ: 5.50mm; B max: 1.40mm; B min: 1.0mm; C max: 0.80mm; C min: 0.40mm; E max: 5.60mm; E min: 5.30mm; E typ: 5.45mm; A1 max: 2.60mm; A1 min: 2.20mm; L1 max: 4.30mm; L1 min: 3.70mm; B1 max: 2.40mm; B1 min: 2.0mm; B2 max: 3.40mm; B2 min: 3.0mm |
| Hfe test conditions | Ic=10A, Vce=4V |
| Vbe on test conditions | Ic=10A, Vce=4V |
| Vce sat test conditions | Ic=10A, Ib=40mA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Base emitter resistor typ | 100Ω |
| Switching test conditions | Ic=10A, Rl=3Ω, Ib1=-Ib2=40mA |
| Base collector resistor typ | 8kΩ |
| Описание (англ.) | PNP Darlington 100V 10A 125W |
| Emitter cutoff current iebo max | 2mA |
| Emitter cutoff current iebo test | Veb=5V, Ic=0 |
| Collector cutoff current icbo max | 1mA |
| Collector cutoff current icbo test | Vcb=100V, Ie=0 |
| Collector emitter cutoff current iceo max | 2mA |
| Collector emitter cutoff current iceo test | Vce=50V, Ib=0 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?