Транзистор TIP122 TO-220
У поставщика
У поставщиков
2 208 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:2 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 21,02 |
Склад 7
В наличии:8 шт
Цена по запросуОписание
Транзистор TIP122 от ST Microelectronics — это мощный составной NPN-транзистор Дарлингтона в корпусе TO-220. Выдерживает ток коллектора до 5 А и напряжение до 100 В, коэффициент усиления по току достигает 1000. Применяется в промышленной автоматике, драйверах двигателей и силовых ключах.
Технические характеристики
| Тип | Составной транзистор (Дарлингтона) |
| Тип | Darlington Transistor (NPN) |
| Вес | 4.84 |
| В упаковке | TUBE, 50 шт. |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус | TO-220-3 |
| Коэф. усиления DC | 1000 |
| Ток коллектора | 5 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Сопротивление базы R1 | 5 кОм |
| Сопротивление базы R2 | 210 Ом |
| Выходная емкость | 200 пФ |
| Темп. хранения | -55 to +150 ℃ |
| Напряжение база-эмиттер | 2.5 В |
| Hfe1 | 1000 |
| Hfe2 | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Напряжение коллектор-база | 100 В |
| Ток отсечки эмиттера | 2 мА |
| Ток отсечки коллектора | 0.2 мА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100 В |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.2 мА |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 0.5 мА |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 100 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 100 В |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.92 °C/Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 60 В |
| Диапазон температуры перехода | -55~+150 °C |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5 °C/Вт |