Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 5 А, 65 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
464 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:274 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 63,79 |
| от 33 | 58,86 |
| от 100 | 54,82 |
| от 150 | 51,80 |
| от 300 | 49,54 |
Склад 12
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,33 |
| от 20 | 36,39 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор TIP120 от STMicroelectronics — составной (дарлингтоновский) ключ. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 5 А при мощности 65 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для управления нагрузками в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Vcb | 60V |
| Veb | 5V |
| Тип | NPN Darlington |
| Vceo | 60V (min) |
| Выводы | 3 leads (base, collector, emitter, collector tab) |
| Ib max | 120mA |
| Vbe on | 2.5V max @ Ic=3A, Vce=3V |
| Ic peak | 8A |
| Маркировка | TIP12xG (x=0 for TIP120) |
| Корпус | TO-220AB (Case 221A) |
| Особенности | High DC current gain, Low saturation voltage, Built-in base-emitter shunt resistors, Pb-Free available |
| Icbo макс. | 0.2mA @ Vcb=60V |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 0.5mA @ Vce=30V |
| Макс. IEBO | 2.0mA @ Vbe=5V |
| Тип монтажа | THT |
| Vce sat 1 | 2.0V max @ Ic=3A, Ib=12mA |
| Vce sat 2 | 4.0V max @ Ic=5A, Ib=20mA |
| Pd case 25c | 65W |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Корпус | TO-220AB |
| Ic continuous | 5A |
| Pd ambient 25c | 2.0W |
| Derate above case | 0.52W/°C |
| Derate above ambient | 0.016W/°C |
| Input capacitance cib | не указано |
| Dc current gain hfe typ | 2500 @ Ic=4A |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Dc current gain hfe min 1 | 1000 @ Ic=0.5A, Vce=3V |
| Dc current gain hfe min 2 | 1000 @ Ic=3A, Vce=3V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Output capacitance cob typ | 200pF @ Vcb=10V, f=0.1MHz (NPN) |
| Описание (англ.) | NPN Darlington 60V 5A |
| Unclamped inductive load energy | 50mJ |
| Internal base emitter resistor 1 | ≈8.0kΩ |
| Internal base emitter resistor 2 | ≈120Ω |
| Small signal current gain at 1mhz | 4.0 min @ Ic=3A, Vce=4V |
| Junction to case thermal resistance | 1.92°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?