Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 50 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
655 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:655 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,77 |
| от 34 | 57,89 |
| от 100 | 53,91 |
| от 150 | 50,93 |
| от 300 | 48,70 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор Дарлингтона от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, постоянный ток коллектора 2 А и мощность 50 Вт. Выполнен в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия. Применяется в промышленной автоматике, драйверах реле и силовых нагрузках.
Технические характеристики
| Ib max | 50mA |
| Ic peak | 4A |
| Маркировка | TIP112, TIP112G (Pb-Free) |
| Vcb max | 100V |
| Veb max | 5V |
| Тип монтажа | tht (сквозное отверстие) |
| Тип корпуса | CASE 221A |
| Артикул | TIP112 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип упаковки | TO-220AB (TO-220) |
| Vceo sus min | 100V |
| Derating case | 0.4 W/°C |
| Ic continuous | 2A |
| Тип компонента | Bipolar Junction Transistor, NPN, Darlington |
| Derating ambient | 0.016 W/°C |
| Complementary part | TIP117 (PNP) |
| Internal schematic | Darlington with built-in base-emitter shunt resistors (approx 8kΩ and 120Ω) |
| Vbe on max ic2a vce4v | 2.8V |
| Vce sat max ic2a ib8ma | 2.5V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Power dissipation case 25c | 50W |
| Power dissipation ambient 25c | 2W |
| Unclamped inductive load energy | 25mJ |
| Dc current gain hfe min 1a vce4v | 1000 |
| Dc current gain hfe min 2a vce4v | 500 |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.5 °C/W |
| Output capacitance cob max vcb10v | 100pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -65°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Small signal current gain hfe min 0 75a 10v 1mhz | 25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?