+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TIP102G
Документация

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт

Артикул:870681
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
96 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:96 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1152,00
от 16141,90
от 31133,66
от 50127,52
от 150122,96
Описание

Биполярный NPN-транзистор Дарлингтона от ON Semiconductor. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 8 А и мощность 80 Вт, выпускается в стандартном корпусе TO-220. Подходит для коммутации нагрузок в промышленной автоматике и силовой электронике.

Технические характеристики
Ib max1.0A
ЦоколевкаPin1: Base; Pin2: Collector; Pin3: Emitter; Pin4: Collector (tab)
Rth JA62.5°C/W
Rth jc1.56°C/W
Cob max200pF
Ic peak15A
КорпусTO-220AB
Без свинцаДа
Pd ta252.0W
Pd tc2580W
Icbo макс.50µA
Макс. ток коллектор-эмиттер50µA
Макс. IEBO8.0mA
Тип монтажаВыводной
VCBO макс.100V
Vceo макс.100V
Vebo макс.5.0V
КомпонентTIP102G
Vbe on max2.8V
ОписаниеNPN Darlington Bipolar Power Transistor
Hfe max ic3a20000
Hfe min ic3a1000
Hfe min ic8a200
Pd derate ta0.016W/°C
Pd derate tc0.64W/°C
Vceo sus min100V
Ic continuous8.0A
Tj tstg range-65 to +150°C
Соотв. RoHSДа
Тип транзистораNPN Darlington
Vce sat max ic3a2.0V
Vce sat max ic8a2.5V
Built in resistorsR1: 8.0kΩ; R2: 120Ω
Hfe small signal min4
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
Unclamped inductive load energy30mJ

Заметили ошибку в описании или параметрах?