Документация
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 80 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
250 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:250 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 66,39 |
| от 33 | 61,25 |
| от 100 | 57,05 |
| от 150 | 53,91 |
| от 300 | 51,57 |
Описание
Транзистор TIP102 от STMicroelectronics — мощный NPN составной (Darlington) биполярный транзистор. Выдерживает напряжение до 100 В, ток коллектора до 8 А (импульсный до 15 А) и рассеивает мощность до 80 Вт. Выпускается в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Применяется в промышленной автоматике, силовых ключах и драйверах нагрузок.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB, 3-lead |
| Тип | Bipolar Junction Transistor |
| Ib max | 1A |
| Ic peak | 15A |
| Маркировка | TIP102 |
| Корпус | TO-220AB |
| Vcb max | 100V |
| Veb max | 5V |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | NPN |
| Vceo sus | 100V |
| Derate ta | 0.016W/°C |
| Derate tc | 0.64W/°C |
| Pd ta 25c | 2W |
| Pd tc 25c | 80W |
| Vbe on 8a | 2.8V |
| Hfe min 3a | 1000 |
| Hfe min 8a | 200 |
| Hfe typ 4a | 2500 |
| Vce sat 3a | 2V |
| Vce sat 8a | 2.5V |
| Complementary | TIP107 |
| Конфигурация | Darlington |
| Ic continuous | 8A |
| Base current max | 1A |
| Hfe small signal | 4 |
| Макс. темп. хр. | 150 |
| Мин. темп. хр. | -65 |
| Макс. раб. темп. | 150 |
| Мин. раб. темп. | -65 |
| Выходная емкость | 200pF |
| Lead free available | Да |
| Тепловое сопротивление JA | 62.5°C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 1.56°C/W |
| Collector current peak | 15A |
| Power dissipation case | 80W |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Base emitter resistor typ | 8kΩ, 120Ω |
| Power dissipation ambient | 2W |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 100V |
| Emitter cutoff current max | 8mA |
| Output capacitance cob max | 200pF |
| Unclamped inductive energy | 30mJ |
| Непрерывный ток коллектора | 8A |
| Макс. ток отсечки коллектора | 50µA |
| Off characteristics icbo max | 50µA |
| Off characteristics iceo max | 50µA |
| Off characteristics iebo max | 8mA |
| Макс. напр. К-Э | 100V |
| Макс. ток отсечки К-Б | 50µA |
| Dc current gain hfe max ic3a vce4v | 20000 |
| Dc current gain hfe min ic3a vce4v | 1000 |
| Dc current gain hfe min ic8a vce4v | 200 |
| Dc current gain hfe typ ic4a vce4v | 2500 |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.56°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Base emitter on voltage max ic8a vce4v | 2.8V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Small signal current gain hfe min f1mhz | 4 |
| Collector emitter sustaining voltage min | 100V |
| Small signal current gain test condition | IC=3A, VCE=4V, f=1MHz |
| Collector emitter saturation voltage max ic3a ib6ma | 2.0V |
| Collector emitter saturation voltage max ic8a ib80ma | 2.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?