Документация
Оптопара транзисторная 100 мА TIL111M
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
272 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:272 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 94 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,04 |
| от 42 | 7,44 |
| от 100 | 6,81 |
| от 150 | 6,29 |
| от 300 | 5,88 |
Описание
Оптопара с транзисторным выходом от ON Semiconductor. Работает при напряжении изоляции до 4170 В AC RMS, ток до 100 мА, корпус PDIP6 для монтажа в отверстия. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | Optocoupler, Phototransistor Output |
| Шаг | 2.54mm |
| Корпус | PDIP6 |
| Тип монтажа | THT |
| Кол-во выводов | 6 |
| Размеры | 8.51x6.35mm |
| Артикул | TIL111M |
| Производитель | onsemi |
| Dark current max | 50nA |
| Lead solder time | 10 seconds |
| Степень загрязнения | 2 |
| Путь утечки | ≥7mm |
| Напр. изоляции | 4170VAC RMS |
| Воздушный зазор | ≥7mm |
| Isolation duration | 1 minute |
| Размеры упаковки | 8.51mm x 6.35mm |
| Safety overvoltage | 6000V peak |
| Total power derate | 2.94mW/°C |
| Макс. прямой ток | 60mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.50V |
| Типовое прямое напряжение | 1.18V |
| Emitter power derate | 1.41mW/°C |
| Forward current peak | 3A |
| Толщина изоляции | ≥0.5mm |
| Сопр. изоляции | 10^11 Ω |
| Мин. путь утечки | 7mm |
| Detector power derate | 1.76mW/°C |
| Емк. изоляции | 0.2pF |
| Led power dissipation | 120mW |
| Clearance distance min | 7mm |
| Макс. напряж. насыщения | 0.4V |
| Climatic classification | 55/100/21 |
| Прямое напряжение типовое | 1.18V |
| Температура пайки выводов | 260°C for 10s |
| Output power max safety | 800mW |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 7V |
| Input current max safety | 350mA |
| Сопротивление изоляции мин. | 10^11 Ω |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Мощность эмиттера | 120mW |
| Макс. раб. темп. | 100°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Макс. обрат. вх. напр. | 3V |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Capacitance test condition | VCE=0V, f=1MHz |
| Напряжение коллектор-база макс. | 70V |
| Индекс трекингостойкости | 175 |
| Рассеиваемая мощность детектора | 150mW |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +125°C |
| Макс. температура корпуса | 175°C |
| Emitter forward current max | 60mA |
| Emitter reverse voltage max | 3V |
| Диап. раб. темп. | -40 to +100°C |
| Reverse leakage current max | 10µA |
| Emitter peak forward current | 3A (300µs, 2% duty) |
| Макс. напр. К-Э | 30V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Isolation capacitance typical | 0.2pF |
| Условия измерения прямого напряжения | IF=10mA |
| Working insulation voltage max | 850Vpeak |
| Collector base dark current max | 20nA |
| Distance through insulation min | 0.5mm |
| Reverse leakage current typical | 0.001µA |
| Collector emitter capacitance typ | 8pF |
| Safety working insulation voltage | 850V peak |
| Saturation voltage test condition | IC=2mA, IF=16mA |
| Collector emitter dark current max | 50nA |
| Мин. пробой эмиттер-база | 7V |
| Isolation resistance test condition | VI-O=±500VDC, TA=25°C |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 70V |
| Isolation capacitance test condition | VI-O=0V, f=1MHz |
| Capacitance collector emitter typical | 8pF |
| Collector emitter dark current typical | 1nA |
| Emitter base breakdown voltage typical | 10V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 7V |
| Collector base breakdown voltage typical | 120V |
| Saturation voltage collector emitter max | 0.4V |
| Collector base dark current test condition | VCB=10V |
| Collector emitter breakdown voltage typical | 100V |
| Emitter collector breakdown voltage typical | 10V |
| Collector emitter dark current test condition | VCE=10V, IF=0 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?