Документация
Фототранзистор TEFT4300
У поставщика
У поставщиков
3 497 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 162 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,98 |
| от 30 | 23,07 |
| от 59 | 21,85 |
| от 118 | 20,22 |
| от 235 | 18,58 |
Склад 12
В наличии:335 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 21,74 |
| от 5 | 20,40 |
Описание
Фототранзистор TEFT4300 производства Vishay предназначен для оптоэлектронных схем и систем детектирования. Отличается высокой чувствительностью к инфракрасному излучению и быстрым временем переключения. Применяется в датчиках приближения, оптических интерфейсах и устройствах автоматики.
Технические характеристики
| Moq | 5000 pcs |
| Тип | Silicon NPN Phototransistor |
| Filter | Daylight blocking filter matched with 940nm emitters |
| Корпус | T-1 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | TEFT4300 |
| Упаковка | насыпью |
| Размеры | Ø 3 mm |
| Описание | Silicon NPN Phototransistor |
| Артикул | TEFT4300 |
| Package form | leaded |
| Время включения | 2µs |
| Код заказа | TEFT4300 |
| Время выключения | 2.3µs |
| Время включения тип. | 2µs |
| Ток коллектора | 50mA |
| Частота среза | 180kHz |
| Рассеиваемая мощность | 100mW |
| Время выкл. тип. | 2.3µs |
| Спектральная ширина | 875 to 1000nm |
| Package body height | 5mm |
| Time test condition | V_CE=5V, I_C=5mA, R_L=100Ω |
| Темп. перехода | 100°C |
| Package lead spacing | 2.54mm |
| Усл. пайки | t ≤ 3s, 2mm from case |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Cut off frequency typ | 180kHz |
| Package body diameter | 3mm |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100mW |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector peak current | 100mA |
| Collector light current | 3.2mA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Frequency test condition | V_CE=5V, I_C=5mA, R_L=100Ω |
| Макс. темп. перехода | 100°C |
| Angle of half sensitivity | ±30° |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 70V |
| Emitter collector voltage | 5V |
| Saturation test condition | E_e=1mW/cm², λ=950nm, I_C=0.1mA |
| Диап. темп. хр. | -40 to +100°C |
| Capacitance test condition | V_CE=5V, f=1MHz, E=0 |
| Темновой ток коллектора макс. | 200nA |
| Collector dark current typ | 1nA |
| Collector light current min | 0.8mA |
| Collector light current typ | 3.2mA |
| Dark current test condition | V_CE=20V, E=0 |
| Диап. раб. темп. | -40 to +100°C |
| Range of spectral bandwidth | 875 to 1000nm |
| Wavelength peak sensitivity | 925nm |
| Light current test condition | E_e=1mW/cm², λ=950nm, V_CE=5V |
| Описание (англ.) | PHOTOTRANSISTOR 3.0MM WIDE VIEW |
| Collector emitter capacitance | 3pF |
| Макс. напр. К-Э | 70V |
| Макс. Uэк | 5V |
| Collector emitter dark current | 200nA |
| Wavelength of peak sensitivity | 925nm |
| Collector emitter capacitance typ | 3pF |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 450 K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 70V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?