
Документация
Микросхема TCMT1100
У поставщика
У поставщиков
2 408 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 261 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 45,82 |
| от 46 | 42,00 |
| от 92 | 38,88 |
| от 183 | 36,52 |
| от 365 | 34,76 |
Склад 39
В наличии:887 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,30 |
| от 92 | 36,57 |
| от 154 | 34,46 |
| от 256 | 32,79 |
| от 429 | 31,55 |
Склад 12
В наличии:260 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 11 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,19 |
| от 30 | 29,66 |
Описание
Микросхема TCMT1100 от Vishay представляет собой оптопару с транзисторным выходом. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей в промышленной и бытовой электронике. Обеспечивает надёжную передачу сигнала при компактных размерах корпуса.
Технические характеристики
| Тип | Optocoupler, Phototransistor Output |
| Серия | TCMT110. Series |
| Тип | Оптопара |
| Ток | 50 мА |
| Корпус | SSOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 7.21 mm (package length) |
| Lead count | 4 |
| Артикул | TCMT1100 |
| Тип упаковки | Half pitch mini-flat package |
| Корпус | SOP-4 |
| Монтаж | SMD |
| Тип. время спада | 7.0µs |
| Тип. время нарастания | 5.5µs |
| Delay time typ | 4.0µs |
| Длина корпуса | 7.21 mm |
| Обратное напряжение | 6V |
| Степень загрязнения | 2 |
| Storage time typ | 1.5µs |
| Время включения тип. | 9.5µs |
| Время выкл. тип. | 8.5µs |
| Количество каналов | 1 |
| Макс. прямой ток | 60mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.6V |
| Типовое прямое напряжение | 1.35V |
| Output safety power | 350mW |
| Прямой ток | 50 мА |
| Cutoff frequency typ | 100kHz |
| Тестовый прямой ток | 50mA |
| Input safety current | 150mA |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Мин. путь утечки | 5mm |
| Cut off frequency typ | 100 kHz |
| Имп. ток прямо | 1.5A |
| Clearance distance min | 5mm |
| Collector peak current | 100mA |
| Climatic classification | 40/110/21 |
| Рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Output safety power max | 350 mW |
| Switching fall time typ | 7.0 µs |
| Switching rise time typ | 5.5 µs |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Ac isolation voltage rms | 3750V |
| Coupling capacitance typ | 0.3pF |
| Input safety current max | 150 mA |
| Input safety temperature | 175°C |
| Insulation thickness min | 0.4mm |
| Isolation resistance 25C | ≥10^12 Ω |
| Сопротивление изоляции мин. | 10^12 Ω |
| Рассеиваемая мощность | 150mW |
| Switching delay time typ | 4.0 µs |
| Forward surge current max | 1.5 A |
| Обр. напр. вх. макс. | 6 V |
| Isolation resistance 100C | ≥10^11 Ω |
| Температура пайки макс. | 260 °C |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Темновой ток коллектора макс. | 100nA |
| Collector peak current max | 100 mA |
| Индекс трекингостойкости | 175 |
| Коэф. передачи макс. | 600% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 50% |
| Input junction temperature | 125°C |
| Isolation test voltage rms | 3750 V |
| Junction capacitance input | 8pF |
| Saturated turn on time typ | 3.0µs |
| Switching storage time typ | 1.5 µs |
| Turn on time saturated typ | 3.0 µs |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 100 mW |
| Output junction temperature | 125°C |
| Saturated turn off time typ | 20.0µs |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Turn off time saturated typ | 20.0 µs |
| Input safety temperature max | 175 °C |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150 mW |
| Макс. напр. К-Э | 70V |
| Collector emitter voltage min | 70V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Emitter collector voltage min | 7V |
| Input junction capacitance typ | 8 pF |
| Input junction temperature max | 125 °C |
| Turn on time non saturated typ | 9.5 µs |
| Turn off time non saturated typ | 8.5 µs |
| Transient isolation voltage peak | 6000 V |
| Repetitive peak isolation voltage | 707 V |
| Прямое напряжение | 1.2 В |
| Maximum transient isolation voltage | 6000V |
| Диапазон темп. окр. | -40 to +100°C |
| Current transfer ratio test condition | V_CE=5V, I_F=5mA |
| Current transfer ratio test conditions | V_CE=5V, I_F=5mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3V |
| Maximum repetitive peak isolation voltage | 707V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?