Документация
Описание
Транзистор TBC560 от CDIL — кремниевый PNP биполярный транзистор в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Выдерживает ток коллектора до 100 мА, напряжение до 30 В и рассеивает до 500 мВт мощности. Подходит для усиления звуковых частот и ключевых схем в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | THT |
| Применение | switching and AF amplifier |
| Рассеиваемая мощность | 500mW |
| Макс. коэф. усиления DC | 800 |
| Hfe мин. | 420 |
| Collector current dc | 100mA |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Напряжение коллектор-база | 30V |
| Collector current peak | 200mA |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 30V |
| Dc current gain condition | Ic=2mA, Vce=5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Base emitter on voltage max | 0.75V |
| Base emitter on voltage min | 0.55V |
| Base emitter on voltage max 2 | 0.82V |
| Collector base capacitance max | 6.0pF |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA |
| Base emitter on voltage condition | Ic=2mA, Vce=5V |
| Макс. ток отсечки К-Б | 15nA |
| Мин. пробой эмиттер-база | 5V |
| Base emitter on voltage condition 2 | Ic=10mA, Vce=5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | 30V |
| Collector base capacitance condition | Vcb=10V, f=1MHz |
| Emitter base cutoff current condition | Veb=5V |
| Collector base cutoff current condition | Vcb=30V, Ie=0 |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.30V |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | — |
| Emitter base breakdown voltage condition | Ie=100µA |
| Collector base breakdown voltage condition | Ic=100µA |
| Collector emitter saturation voltage max 2 | 0.65V |
| Collector emitter breakdown voltage condition | Ic=2mA |
| Collector emitter saturation voltage condition | Ic=10mA, Ib=0.5mA |
| Collector emitter saturation voltage condition 2 | Ic=100mA, Ib=5mA |