Документация
УНЧ 2x125Вт TAS5152DKD
У поставщика
ПроизводительTexas Instruments
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
29 шт.
Норм. уп.: 29
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:29 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 29
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 557,64 |
| от 2 | 552,02 |
| от 3 | 545,16 |
| от 4 | 536,56 |
| от 6 | 525,25 |
Описание
Микросхема усилителя мощности звука TAS5152DKD от Texas Instruments. Это двухканальный усилитель класса D мощностью 2x125 Вт в корпусе HSSOP36. Работает в расширенном температурном диапазоне от -40°C до 85°C. Применяется в профессиональной аудиотехнике и мощных акустических системах.
Технические характеристики
| Snr | >100 dB (A-weighted) |
| Корпус | 36-pin PSOP3 (DKD) |
| Тип монтажа | SMD |
| Pad area | 80 mm² |
| КПД | >90% into 6Ω |
| Thd plus n | <0.1% at 1W |
| Корпус | HSSOP36 |
| Absolute max vdd | 13.2V |
| Lead temperature | 260°C for 10 seconds |
| Absolute max gvdd | 13.2V |
| Absolute max pvdd | 50V |
| Absolute max vreg | 4.2V |
| Supply voltage vdd | 12V |
| Защита | undervoltage, overtemperature, overload, short circuit, overcurrent, power-on reset |
| Темп. хранения | -40°C to 125°C |
| Supply voltage gvdd | 12V |
| Supply voltage pvdd | 35V typical, max 50V |
| Output power se 3ohm | 4x45W at 10% THD+N |
| Output power se 4ohm | 4x35W at 10% THD+N |
| Output power btl 4ohm | 2x125W at 10% THD+N |
| Output power btl 6ohm | 2x98W at 10% THD+N |
| Output power btl 8ohm | 2x76W at 10% THD+N |
| Output power pbtl 2ohm | 1x240W at 10% THD+N |
| Output power pbtl 3ohm | 1x192W at 10% THD+N |
| Minimum pulse width low | 50 ns |
| Output sink current max | 9 mA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ground voltage difference | ±0.3V |
| Logic input voltage max pwm | 4.2V |
| Output mosfet on resistance | 140mΩ |
| Описание (англ.) | PA 2x125W, Class-D |
| Logic input voltage max reset | 7V |
| Рабочая температура перехода | 0°C to 125°C |
| Thermal resistance case to heatsink | 0.8 °C/W (with 2-mil grease) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Thermal resistance junction to case 1btl | 2.56 °C/W |
| Thermal resistance junction to case 2btl | 1.28 °C/W |
| Thermal resistance junction to case per transistor | 8.6 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?