+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
T405-600B-TR
Документация

Симистор 600В 4А 5мА 3Q (логический уровень)

Артикул:809401
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
1 581 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 581 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 139,85
от 5536,37
от 11033,53
от 22031,38
от 43929,79
Описание

Симистор T405-600B-TR от STMicroelectronics рассчитан на ток 4 А и напряжение до 600 В. Компонент выполнен в SMD-корпусе DPAK (TO-252) и поддерживает работу в квадрантах I, II, III с током управления всего 5 мА. Подходит для управления индуктивными нагрузками в промышленной автоматике, малой бытовой технике и системах управления двигателями.

Технические характеристики
ТипTriac
КорпусDPAK (TO-252)
Тип монтажаSMD
Значение I²t5.1A²s
QuadrantsI, II, III
ТехнологияSnubberless / Logic level
АртикулT405-600B-TR
ПрименениеAC inductive loads, motor control, small home appliances
Current itrms4A
Voltage vdrm vrrm600V
Темп. хранения-40 to +150°C
Dynamic resistance rd120mΩ
Peak gate current igm4A
Threshold voltage vt00.89V
Holding current ih max10mA
Latching current il max10mA (I-II), 15mA (II)
Average gate power pg av1W
On state voltage vtm max1.56V
Gate trigger current igt max5mA
Gate trigger voltage vgd min0.2V
Gate trigger voltage vgt max1.3V
Leakage current idrm irrm 25c5µA
Junction temperature operating-40 to +125°C
Leakage current idrm irrm 125c1mA
Surge peak on state current itsm30A (50Hz), 31A (60Hz)
Thermal resistance junction to case rth jc2.6°C/W
Critical rate of rise of on state current didt50A/µs
Critical rate of decrease of main current didt c1.8A/ms (0.1V/µs), 0.9A/ms (10V/µs), 2.5A/ms (without snubber)
Thermal resistance junction to ambient rth ja dpak70°C/W
Critical rate of rise of off state voltage dvdt min20V/µs

Заметили ошибку в описании или параметрах?