Документация
Низкочастотный тиристор 10А, 1200В
У поставщика
ПроизводительПреобразователь
У поставщиков
172 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:172 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 421,00 |
| от 4 | 416,02 |
| от 7 | 409,84 |
| от 13 | 401,63 |
| от 26 | 390,16 |
Описание
Низкочастотный тиристор Т112-10-12 от производителя «Преобразователь». Компонент рассчитан на средний ток 10 А и напряжение до 1200 В, выполнен в корпусе Stud с резьбовым основанием для монтажа на радиатор. Подходит для применения в промышленной автоматике и силовых цепях управления.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor (SCR) |
| Мощность, Вт | |
| Вес | 6g |
| Ток, А | Импульсный ток: 0.15kA; Ток удержания: 70mA; Latching current: 100mA; Rms on state current: 15A; Average on state current: 10A; Repetitive peak reverse current: 2.5mA; Repetitive peak off state current: 2.5mA |
| Корпус | Stud (threaded base) |
| Напряжение, В | Constant reverse voltage: 720V; Constant off state voltage: 720V; Раб. имп. обратное напряжение: 960V; Working peak off state voltage: 960V; Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1200V; Repetitive peak off state voltage: 1200V; Неповторяющееся импульсное обратное напряжение: 1300V; Non repetitive peak off state voltage: 1300V |
| Тип монтажа | THT |
| Частота | Тестовая частота: 50Hz |
| Время задержки | 2µs |
| Размеры | Масса: 6g; Длина: 1.6mm |
| Сопротивление | Динамическое сопротивление, Ом: 0.021Ω |
| Ёмкость | |
| Артикул | Т112-10-12 |
| Время включения | 10µs |
| Время выключения | 63µs to 250µs |
| Additional info | Класс: 12; Охлаждение: Natural cooling with heatsink О111; Current class: 10A; Тип упаковки: Штыревой; Класс напряжения: 1200V |
| Gate parameters | Gate trigger current: 40mA; Gate trigger voltage: 2.5V; Non trigger gate voltage: 0.3V |
| Ток удержания | 70mA |
| Latching current | 100mA |
| Темп. диапазон | Storage max: 50°C; Storage min: -60°C; Junction operating max: 125°C; Junction operating min: -60°C |
| Тепловое сопротивление | Case to heatsink: 0.2°C/W; Junction to case: 1.8°C/W; Junction to ambient with heatsink: 7.6°C/W |
| Напряжение блокировки DC | 720V |
| Gate trigger current | 40mA |
| Gate trigger voltage | 2.5V |
| Rms on state current | 15A |
| Время обратного восстановления | 4µs |
| Surge on state current | 160A |
| Заряд обратного восстановления | 30µC |
| Макс. темп. хр. | 50°C |
| Мин. темп. хр. | -50°C |
| Average on state current | 10A |
| Gate non trigger voltage | 0.3V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Темп. перехода мин. | -50°C |
| Switching characteristics | Время задержки: 2µs; Время включения: 10µs; Время выключения: 250µs; Время обратного восстановления: 4µs; Заряд обратного восстановления: 30µC; Critical rate of rise of on state current: 160A/µs; Critical rate of rise of off state voltage: 50V/µs |
| Раб. имп. обратное напряжение | 960V |
| Working peak off state voltage | 960V |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Repetitive peak off state voltage | 1200V |
| Неповторяющееся импульсное обратное напряжение | 1300V |
| Thermal resistance case to heatsink | 0.2 °C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.8 °C/W |
| Non repetitive peak off state voltage | 1300V |
| Термосопротивление переход-среда | 7.6 °C/W |
| Average on state current natural cooling | 6A at 40°C |
| Critical rate of rise of on state current | 160 A/µs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?