+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STW88N65M5
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 84А 450Вт

Артикул:775556
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
407 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:277 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11 052,45
от 91 010,15
от 18981,85
от 30956,96
от 90940,13
Склад 12
В наличии:130 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11 242,00
от 21 171,85
Описание

STMicroelectronics STW88N65M5 — N-канальный MOSFET-транзистор на напряжение 650 В и ток 84 А. Модель рассчитана на мощность до 450 Вт и выполнена в корпусе TO-247. Подходит для импульсных источников питания и силовой промышленной автоматики.

Технические характеристики
КорпусTO-247
Rds(вкл) макс.0.029Ω
Rds(вкл) тип.0.024Ω
ТехнологияN-channel MDmesh V
КорпусTO-247
Тип монтажаTHT
Gate resistance1.79Ω
Avalanche energy2000mJ
Dv dt capability15V/ns
Заряд сток-затвор84nC
Вх. емкость8825pF
Рассеиваемая мощность450W
Полный заряд затвора204nC
Заряд затвор-исток51nC
Выходная емкость223pF
Drain current pulsed336A
Rds on test conditionsVgs=10V, Id=42A
Напряжение затвор-исток макс.±25V
Switching crossing time56ns
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. напряжение сток-исток650V
Макс. раб. темп.150°C
Мин. раб. темп.-55°C
Тип. время восст.544ns
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Пороговое напряжение затвора макс.5V
Пороговое напряжение затвора мин.3V
Тип. пороговое Uзи4V
Reverse recovery time 150c660ns
Тип. заряд восст.14µC
Switching current fall time29ns
Switching voltage rise time16ns
Drain current continuous 25c84A
Reverse recovery charge 150c20µC
Обратная проходная емкость11pF
Source drain forward voltage1.5V
Switching voltage delay time141ns
Описание (англ.)MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Drain current continuous 100c50.5A
Тепловое сопр. переход-корпус0.28°C/W
Equivalent capacitance time related778pF
Тепловое сопротивление переход-среда50°C/W
Equivalent capacitance energy related202pF

Заметили ошибку в описании или параметрах?