Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
184 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 34 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 035,00 |
| от 3 | 862,16 |
| от 30 | 833,78 |
Склад 13
В наличии:84 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 070,82 |
| от 5 | 1 023,78 |
| от 9 | 986,44 |
| от 18 | 953,59 |
| от 30 | 931,39 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 600 В, ток до 51 А, мощность 350 Вт, корпус TO-247. Оснащён быстрым диодом и низким сопротивлением открытого канала 0,047 Ом. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 96ns |
| Время нарастания | 68ns |
| Current id | 51A |
| Fast diode | Да |
| Rds(вкл) макс. | 0.060Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.047Ω |
| Технология | FDmesh™ II |
| Voltage vds | 600V |
| Корпус | TO-247 |
| Размеры мм | A: 4.85-5.15; D: 19.85-20.15; E: 15.45-15.75; L: 14.20-14.80; S: 5.30-5.70; B: 1.0-1.40; C: 0.40-0.80; E: 5.30-5.60; A1: 2.20-2.60; L1: 3.70-4.30; L2: 18.50; B1: 2.0-2.40; B2: 3.0-3.40; ∅P: 3.55-3.65; ∅R: 4.50-5.50 |
| Задержка включения | 33ns |
| Задержка выключения | 188ns |
| Dvdt capability | 40V/ns (peak diode recovery) |
| Avalanche energy | 1600mJ |
| Avalanche tested | Да |
| Лавинный ток | 15A |
| Current id pulsed | 204A |
| Заряд сток-затвор | 90nC |
| Рассеиваемая мощность | 350W |
| Полный заряд затвора | 190nC |
| Заряд затвор-исток | 30nC |
| Темп. хранения | -55°C to 150°C |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 200ns (typ), 280ns (150°C) |
| Gate threshold voltage | 3V to 5V |
| Input capacitance ciss | 5800pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Output capacitance coss | 300pF |
| Заряд обратного восстановления | 1.8μC (typ), 3.4μC (150°C) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 45S |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Описание (англ.) | N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.36°C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 30pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?