+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STW34NM60N
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 250Вт

Артикул:809230
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
667 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:667 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1510,73
от 10485,62
от 19465,69
от 30448,17
от 90436,32
Описание

Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 600 В, ток 29 А и мощность 250 Вт, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
КорпусD2PAK, TO-220
Тип монтажаSMD (D2PAK), THT (TO-220)
Время спада73ns
Время нарастания36ns
КорпусTO-247
Avalanche energy345mJ
Лавинный ток7A
Заряд сток-затвор45nC
Вх. емкость2722pF
Полный заряд затвора84nC
Заряд затвор-исток14nC
Выходная емкость173pF
Время задержки включения18ns
Время задержки выключения104ns
Drain current pulsed126A
Напряжение сток-исток600V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Общая рассеиваемая мощность250W
Тип упаковкиTube (туба)
Intrinsic gate resistance2.9Ω
Reverse recovery time 25c412ns
Пороговое напряжение затвора макс.4V
Пороговое напряжение затвора мин.2V
Тип. пороговое Uзи3V
Reverse recovery time 150c490ns
Reverse recovery charge 25c8µC
Drain current continuous 25c31.5A
Reverse recovery charge 150c10µC
Reverse recovery current 25c39A
Обратная проходная емкость1.75pF
Source drain forward voltage1.6V
Описание (англ.)MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Drain current continuous 100c20A
Reverse recovery current 150c43A
Макс. Rси вкл.0.105Ω
Drain source on resistance typ0.092Ω
Thermal resistance junction pcb30°C/W
Тепловое сопр. переход-корпус0.5°C/W
Макс. темп. перехода150°C
Тепловое сопротивление переход-среда62.5°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?