Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 045 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 765 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 127,42 |
| от 60 | 120,19 |
| от 120 | 115,35 |
| от 240 | 111,09 |
| от 480 | 108,22 |
Склад 12
В наличии:280 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 144,90 |
| от 50 | 130,56 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 600 В, ток до 20 А и мощность рассеивания 140 Вт. Выполнен в корпусе TO-247 для монтажа в отверстие, оснащён технологией MDmesh II для снижения потерь. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Бренд | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 50ns |
| Время нарастания | 25ns |
| Технология | MDmesh II N-channel MOSFET |
| Артикул | STW26NM60N |
| Тип. время спада | 50 ns |
| Тип. время нарастания | 25 ns |
| Способ монтажа | THT |
| Коэф. сниж. | 1.12W/°C |
| Прямое напряжение | 1.5V |
| Avalanche energy | 610mJ |
| Лавинный ток | 6A |
| Напряжение пробоя | 600V |
| Заряд сток-затвор | 30nC |
| Вх. емкость | 1800pF |
| Рассеиваемая мощность | 140W |
| Полный заряд затвора | 60nC |
| Заряд затвор-исток | 8.5nC |
| Выходная емкость | 115pF |
| Время задержки включения | 13ns |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Время задержки выключения | 85ns |
| Drain current pulsed | 80A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Source drain current | 20A |
| Тип. заряд затвор-сток | 30 nC |
| Gate input resistance | 2.8Ω |
| Тип. входная емкость | 1800 pF |
| Тип. заряд затвора | 60 nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 8.5 nC |
| Gate threshold voltage | 2 to 4V |
| Выходная емкость тип. | 115 pF |
| Test conditions rds on | VGS=10V, ID=10A |
| Время задержки вкл. тип. | 13 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 85 ns |
| Gate input resistance typ | 2.8 Ω |
| Reverse recovery time 25c | 370ns |
| Тип. время восст. | 370 ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Reverse recovery time 150c | 450ns |
| Reverse recovery charge 25c | 5.8µC |
| Тип. заряд восст. | 5.8 µC |
| Source drain current pulsed | 80A |
| Drain current continuous 25C | 20A |
| Reverse recovery charge 150c | 7.5µC |
| Reverse recovery current 25c | 31.6A |
| Обратная проходная емкость | 1.1pF |
| Drain current continuous 100C | 12.6A |
| Equivalent output capacitance | 310pF |
| Reverse recovery current 150c | 32.5A |
| Total power dissipation tc25c | 140W |
| Drain current continuous tc25c | 20A |
| Макс. Rси вкл. | 0.165Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.135Ω |
| Рабочая температура перехода | 150°C |
| Drain current continuous tc100c | 12.6A |
| Thermal resistance junction pcb | 30°C/W |
| Обр. проходная емкость тип. | 1.1 pF |
| Source drain forward voltage typ | 1.5V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.89°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?