Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 160Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
4 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 152,18 |
| от 5 | 149,62 |
| от 10 | 146,17 |
| от 20 | 140,99 |
| от 60 | 133,08 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 500 В, ток до 14 А, мощность рассеивания 160 Вт. Выполнен в корпусе TO-247. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной электронике.
Технические характеристики
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 23ns |
| Технология | SuperMESH |
| Тип устройства | N-channel MOSFET |
| Тип упаковки | TO-247 |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Dvdt capability | 4.5V/ns |
| Лавинный ток | 14A |
| Заряд сток-затвор | 40nC |
| Вх. емкость | 2260pF |
| Рассеиваемая мощность | 160W |
| Заряд затвор-исток | 15nC |
| Напр. изоляции | Not isolated |
| Выходная емкость | 264pF |
| Время задержки включения | 20ns |
| Время задержки выключения | 62ns |
| Current drain pulsed | 56A |
| Gate charge total max | 106nC |
| Gate charge total typ | 76nC |
| Время обратного восстановления | 428ns |
| Заряд обратного восстановления | 4.2µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current drain continuous | 14A |
| Прямая крутизна | 12S |
| Reverse recovery current | 20A |
| Voltage drain source max | 500V |
| Диап. темп. хр. | -50°C to 150°C |
| Gate source esd rating hbm | 4000V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Обратная проходная емкость | 64pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 14A |
| Avalanche energy single pulse | 300mJ |
| Equivalent output capacitance | 150pF |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Resistance drain source on max | 0.34Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.30Ω |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.78°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -50°C |
| Source drain diode forward voltage max | 1.6V |
| Thermal resistance junction ambient max | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?