Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 156Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
459 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:259 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 238,58 |
| от 10 | 223,92 |
| от 20 | 211,98 |
| от 60 | 203,09 |
| от 90 | 196,48 |
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 2 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 175,95 |
| от 5 | 158,24 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 600 В, ток до 10 А, мощность рассеивания 156 Вт. Выполнен в корпусе TO-247 и оснащён встроенной защитой от перенапряжения (Zener-protected). Подходит для импульсных блоков питания, силовой электроники и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Упаковка | трубка |
| Технология | SuperMESH |
| Корпус | TO-247 |
| Тип. время спада | 30ns |
| Тип. время нарастания | 20ns |
| Коэф. сниж. | 1.25W/°C |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Макс. R вкл. | 0.75Ω |
| On resistance typ | 0.65Ω |
| Рассеиваемая мощность | 156W |
| Drain current pulsed | 36A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| ESD HBM | 4kV |
| Gate leakage current | ±10µA |
| Avalanche current max | 9A |
| Тип. заряд затвор-сток | 25nC |
| Тип. входная емкость | 1370pF |
| Заряд затвора макс. | 70nC |
| Тип. заряд затвора | 50nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 10nC |
| Insulation voltage rms | 2500V |
| Выходная емкость тип. | 156pF |
| Время задержки вкл. тип. | 20ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Время задержки выкл. тип. | 55ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current continuous | 10A |
| Тип. время восст. | 570ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Тип. заряд восст. | 4.3µC |
| Source drain pulsed current | 36A |
| Forward transconductance typ | 7.8S |
| Reverse recovery current typ | 15A |
| Описание (англ.) | N-channel 600 V, 0.65 Ohm, 10 A, Zener-protected |
| Repetitive avalanche energy max | 3.5mJ |
| Source drain continuous current | 10A |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 37pF |
| Source drain forward voltage typ | 1.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.8°C/W |
| Equivalent output capacitance typ | 90pF |
| Gate source breakdown voltage min | 30V |
| Single pulse avalanche energy max | 300mJ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?