+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STTH212U
Документация

Диод выпрямительный общего применения 1200В 2А

Артикул:809102
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
5 740 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 370 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 28 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 126,51
от 13024,21
от 26022,38
от 51920,80
от 1 03819,75
Склад 12
В наличии:370 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 128,98
от 2025,14
Описание

Диод выпрямительный общего применения от STMicroelectronics на напряжение 1200 В и ток 2 А. Выполнен в компактном корпусе SMB, поставляется на ленте в катушке. Подходит для блоков питания и импульсных преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипHigh voltage ultrafast diode
Ток I_FSM40A (tp=8.3ms)
VRRM1200V
I f av2A
Макс. Tj175°C
Вес0.110g
I f rms10A
I r max10µA (Tj=25°C, VR=VRRM)
МаркировкаU22
КорпусSMB
Tfr max500ns (IF=2A, dIF/dt=50A/µs, Tj=25°C)
Макс. время обратного восстановления75ns (IF=1A, dIF/dt=-100A/µs, VR=30V, Tj=25°C)
V f max1.75V (Tj=25°C, IF=2A)
V f typ1.0V (Tj=150°C, IF=2A)
Vfp max30V (VFR=1.1xVFmax)
ОсобенностиLow forward voltage drop, High reliability, High surge current capability, Soft switching, Planar technology
Тип монтажаSMD
УпаковкаTape and reel, 2500 per reel
РазмерыD: 3.30-3.95mm, E: 5.10-5.60mm, E1: 4.05-4.60mm, L: 0.75-1.50mm, b: 1.95-2.20mm, c: 0.15-0.40mm, A1: 1.90-2.45mm, A2: 0.05-0.20mm
ТехнологияPlanar
Tstg range-50 to +175°C
ПрименениеFreewheeling, clamping, snubbering, demagnetization
Current rms10A
АртикулSTTH212U
Rth j l smb25°C/W
Rth j l smc20°C/W
Напряжение среднеквадратичное850V
КорпусSMB
Current average2A
Макс. прямое напряжение1.75V
Типовое прямое напряжение1.0V
Ширина корпуса5.10 to 5.60mm
Высота корпуса1.90 to 2.45mm
Длина корпуса3.30 to 3.95mm
Dimensions lead length0.75 to 1.50mm
Voltage repetitive peak1200V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Conduction loss equationP = 1.26*IF(AV) + 0.12*IF(RMS)^2
Емкость перехода Тип.30pF
Макс. темп. перехода175°C
Forward recovery time max500ns
Макс. время обрат. восстановления75ns
Диап. темп. хр.-50 to +175°C
Forward voltage conditionsIF=2A, Tj=25°C
Reverse leakage current max10µA
Current surge non repetitive40A
Forward recovery voltage max30V
Описание (англ.)DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMB
Junction capacitance conditionsVR=0V, f=1MHz
Reverse leakage current max hot100µA
Forward recovery time conditionsIF=2A, dIF/dt=50A/μs, Tj=25°C
Reverse recovery time conditionsIF=1A, dIF/dt=-100A/μs, VR=30V, Tj=25°C
Reverse leakage current conditionsVR=VRRM, Tj=25°C
Тепловое сопротивление переход-вывод25°C/W
Reverse leakage current hot conditionsVR=VRRM, Tj=125°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?