Документация
Диод выпрямительный сборка 200В 10А
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
880 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт68,94 ₽
Сумма827,28 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии880 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 250,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 12 штюрлицам и ИП
от 33 — 63,63 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 827,28 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 422,72 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
12 шт · Склад 13 · 827,28 ₽
Описание
Диодная сборка STTH1602CT от STMicroelectronics — это два выпрямительных диода в одном корпусе TO-220AB. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 200 В и прямой ток до 10 А. Благодаря высокой надёжности и компактному исполнению, сборка широко применяется в импульсных блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Vrr | 200V |
| Ifsm | 80A |
| Температура хранения | -65 to +175°C |
| VRRM | 200V |
| Эпоксидный компаунд | UL94,V0 |
| If rms | 30A |
| Макс. Tj | 175°C |
| Макс. прямое напряжение | 0.89V |
| Тип. прямое напряжение | 0.78V |
| Ecopack | ECOPACK2 compliant component for D2PAK on demand |
| Irm max | 8.8A |
| Irm typ | 6.8A |
| Tfr typ | 160ns |
| Макс. время обратного восстановления | 26ns |
| Trr тип. | 21ns |
| Vfp typ | 2.4V |
| Особенности | Suited for SMPS, Low losses, Low forward and reverse recovery time, Low leakage current, High junction temperature, Insulated package TO-220FPAB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | STTH1602C |
| Ir typ 25c | 6µA |
| Прямое напряжение, тип. при 25 °C | 1.10V |
| Описание | High efficiency ultrafast diode, dual center tap rectifier |
| Тип устройства | Dual center tap rectifier |
| Ir max 125c | 60µA |
| Ir typ 125c | 4µA |
| Применение | SMPS, high frequency DC to DC converters, low voltage high frequency inverters, free wheeling, polarity protection |
| Корпус | TO-220AB |
| Irm condition | IF = 8A, VR = 160V, dIF/dt = 200 A/µs, Tj = 125°C |
| Tfr condition | IF = 8A, dIF/dt = 100 A/µs, Tj = 25°C, VFR = 1.1 x VFmax |
| Trr condition | IF = 1A, VR = 30V, dIF/dt = 100 A/µs, Tj = 25°C |
| Vfp condition | IF = 8A, dIF/dt = 100 A/µs |
| Метод охлаждения | by conduction (C) |
| Ifsm condition | tp = 10 ms sinusoidal |
| Vf typ 16a 25c | 1.25V |
| Варианты корпуса | TO-220AB, TO-220FPAB, D2PAK |
| Vf typ 16a 150c | 1.05V |
| D2pak dimensions | A: 4.36-4.60mm; D: 8.60-9.35mm; E: 10.00-10.55mm; H: 15.00-15.85mm; Индуктивность: 1.90-2.79mm; R: 0.4mm typ; B: 0.70-0.93mm; C: 0.38-0.69mm; E: 2.54mm typ; A1: 0.00-0.25mm; D1: 6.90-8.00mm; D2: 1.10-1.50mm; E1: 8.10-8.90mm; E2: 6.85-7.25mm; J1: 2.49-2.90mm; L1: 1.27-1.65mm; L2: 1.30-1.78mm; V2: 0°-8°; B2: 1.14-1.70mm; C2: 1.19-1.36mm; E1: 4.88-5.28mm |
| Vf max condition | IF = 8A, Tj = 150°C |
| Vf typ condition | IF = 8A, Tj = 150°C |
| Insulated package | TO-220FPAB |
| Insulating voltage | 2000 V sine RMS |
| To220ab dimensions | A: 4.40-4.60mm; D: 15.25-15.75mm; E: 10.00-10.40mm; F: 1.23-1.32mm; Индуктивность: 13.00-14.00mm; P: 3.75-3.85mm; Q: 2.65-2.95mm; B: 0.61-0.88mm; C: 0.48-0.70mm; E: 2.40-2.70mm; D1: 1.27mm typ; H1: 6.20-6.60mm; J1: 2.40-2.72mm; L1: 3.50-3.93mm; B1: 1.14-1.70mm; E1: 4.95-5.15mm; L20: 16.40mm typ; L30: 28.90mm typ |
| Ir typ 25c condition | VR = VRRM, Tj = 25°C |
| Емкость перехода | 100pF |
| Maximum torque to220 | 0.70 N.m |
| To220fpab dimensions | A: 4.40-4.60mm; B: 2.5-2.7mm; D: 2.50-2.75mm; E: 0.45-0.70mm; F: 0.75-1.0mm; G: 4.95-5.20mm; H: 10.00-10.40mm; F1: 1.15-1.70mm; F2: 1.15-1.70mm; G1: 2.40-2.70mm |
| Vf typ 25c condition | IF = 8A, Tj = 25°C |
| If av per diode d2pak | 10A |
| Ir typ 125c condition | VR = VRRM, Tj = 125°C |
| If av per device d2pak | 20A |
| Rth coupling to220fpab | 3.5°C/W |
| Conduction loss formula | P = 0.73 x IF(AV) + 0.020 x IF(RMS)^2 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Recommended torque to220 | 0.55 N.m |
| Vf typ 16a 25c condition | IF = 16A, Tj = 25°C |
| If av per diode to220fpab | 8A |
| Vf typ 16a 150c condition | IF = 16A, Tj = 150°C |
| If av per device to220fpab | 16A |
| Rth coupling to220ab d2pak | 0.8°C/W |
| Rth jc per diode to220fpab | 5.5°C/W |
| Rth jc per device to220fpab | 4.5°C/W |
| Описание (англ.) | DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB |
| If av per diode to220ab d2pak | 8A |
| If av per diode to220fpab alt | 10A |
| If av per device to220ab d2pak | 16A |
| If av per device to220fpab alt | 20A |
| Условия измерения ёмкости перехода | F=1MHz, VOSC=30mVRMS, Tj=25°C |
| Rth jc per diode to220ab d2pak | 3.0°C/W |
| Rth jc per device to220ab d2pak | 1.9°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?