Документация
STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) аналог для STS10P4LLF6
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
360 шт.
Норм. уп.: 150
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:360 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 150
Минимальная партия: 1500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 49,68 |
| от 150 | 36,74 |
| от 1 500 | 29,64 |
Описание
Транзистор STS10P4LLF6-VB от VBSEMI — P-канальный MOSFET в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение до 40 В и ток до 16,1 А, сопротивление открытого канала всего 10 мОм при 10 В на затворе. Подходит для цепей защиты от переполюсовки, коммутации нагрузки и DC-DC преобразователей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 (SOIC-Narrow) |
| Тип монтажа | SMD |
| Lead count | 8 |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Uis tested | Да |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. ширина корпуса | 4.00mm |
| Body width min | 3.80mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Высота корпуса макс. | 1.75mm |
| Body height min | 1.35mm |
| Макс. длина корпуса | 5.00mm |
| Мин. длина корпуса | 4.80mm |
| Структура | P-канал |
| Gate resistance max | 4Ω |
| Gate resistance typ | 0.4Ω |
| Fall time typ vgs 10v | 9ns |
| Тип. заряд затвор-сток | 15.7nC |
| Тип. входная емкость | 3007pF |
| Rise time typ vgs 10v | 11ns |
| Fall time typ vgs 4.5v | 17ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 9.8nC |
| Выходная емкость тип. | 335pF |
| Rise time typ vgs 4.5v | 50ns |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Power dissipation ta 25c | 2.5W |
| Power dissipation ta 70c | 1.6W |
| Power dissipation tc 25c | 6.3W |
| Power dissipation tc 70c | 4W |
| Pulsed drain current max | -50A |
| Voltage drain source max | -40V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.2V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Энергия одиноч. импульса | 39mJ |
| Total gate charge max vgs 10v | 95nC |
| Total gate charge typ vgs 10v | 64nC |
| Body diode forward voltage max | -1.2V |
| Body diode forward voltage typ | -0.8V |
| Single pulse avalanche current | -28A |
| Total gate charge max vgs 4.5v | 50nC |
| Total gate charge typ vgs 4.5v | 33nC |
| Turn on delay time typ vgs 10v | 13ns |
| Continuous drain current ta 25c | -10.2A |
| Continuous drain current ta 70c | -8.2A |
| Continuous drain current tc 25c | -16.1A |
| Continuous drain current tc 70c | -12.9A |
| Turn off delay time typ vgs 10v | 45ns |
| Turn on delay time typ vgs 4.5v | 57ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 291pF |
| Turn off delay time typ vgs 4.5v | 40ns |
| Pulsed source drain diode current | -50A |
| Drain source on resistance vgs 10v | 0.010Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 0.014Ω |
| Body diode reverse recovery time max | 54ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 36ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 62nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 41nC |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -5.3A |
| Thermal resistance junction to ambient max t 10s | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ t 10s | 37°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state max | 20°C/W |
| Thermal resistance junction to foot steady state typ | 16°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 10 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?