Документация
Диод Шоттки SiC 600В 12А (Tc=175°C) 1.4V
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
65 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:65 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 956,58 |
| от 3 | 908,63 |
| от 6 | 869,57 |
| от 11 | 840,57 |
| от 21 | 819,00 |
Описание
Диод Шоттки на карбиде кремния от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток 12 А. Компонент выполнен в корпусе TO-220AC с низким прямым падением напряжения 1,4 В. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | Schottky Diode |
| Вес | 1.86g |
| Корпус | TO-220AC |
| Особенности | No reverse recovery, Switching behavior independent of temperature, Dedicated to PFC boost diode |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Размеры | Ширина: 10.00-10.40 mm; Высота: 4.40-4.60 mm; Длина: 15.25-15.75 mm |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Корпус | TO-220AC |
| Capacitance at 0V | 750pF |
| Capacitance at 400V | 65pF |
| Forward current rms | 30A |
| Voltage reverse peak | 600V |
| Примечание | Шоттки SiC 600В 12А |
| Total capacitive charge | 12nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Forward current average 12A | 12A |
| Forward voltage drop max 25C | 1.7V |
| Описание (англ.) | Diode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
| Forward voltage drop max 150C | 2.1V |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 50A |
| Reverse leakage current max 25C | 150µA |
| Forward voltage drop typical 25C | 1.4V |
| Reverse leakage current max 150C | 1500µA |
| Surge current non repetitive 25C | 50A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.75°C/W |
| Forward voltage drop typical 150C | 1.6V |
| Surge current non repetitive 125C | 40A |
| Reverse leakage current typical 25C | 30µA |
| Диапазон темп. перехода | -40°C to +175°C |
| Reverse leakage current typical 150C | 200µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?