+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STP9N60M2
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Артикул:808869
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
679 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:679 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1233,43
от 6230,31
от 12226,35
от 24221,01
от 50213,67
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 600 В, ток до 5.5 А и мощность 60 Вт в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.

Технические характеристики
Tf13.5ns
Tr7.5ns
ТипN-channel Power MOSFET
Td(вкл)8.8ns
Td(выкл)22ns
Coss eq88pF
КорпусTO-220
Макс. Vds600V
Макс. Vgs±25V
Diode is5.5A
Diode vf1.6V
Тип монтажаTHT
Qg total10nC
Diode qrr1.65μC
Diode trr265ns
Ток стока импульсный22A
Ciss input320pF
Diode irrm12.5A
Dvdt diode15V/ns
Pd макс. 25°C60W
Rds(вкл) макс.0.78Ω
Rds(вкл) тип.0.72Ω
ТехнологияMDmesh II Plus low Qg
Vgs порог макс.4V
Vgs порог мин.2V
Vgs(th) тип.3V
Coss output18pF
АртикулSTP9N60M2
КорпусTO-220
Avalanche eas105mJ
Avalanche iar2A
Qg gate drain5.1nC
Qg gate source2nC
Dvdt ruggedness50V/ns
Diode ism pulsed22A
Ток стока непрерывный 25C5.5A
Непрерывный ток 100°C3.6A
Rg gate resistance6.5Ω
Package alternativeDPAK, IPAK
Crss reverse transfer0.68pF
Rds on test conditionVgs=10V, Id=3A
Vgs th test conditionVds=Vgs, Id=250μA
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. темп. перехода150°C
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Описание (англ.)MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Thermal resistance junction pcb50°C/W
Тепловое сопр. переход-корпус2.08°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда100°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?