Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
679 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт233,43 ₽
Сумма1 167,15 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии679 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 6 — 230,31 ₽ (−1%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 167,15 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 132,85 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 167,15 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 600 В, ток до 5.5 А и мощность 60 Вт в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Tf | 13.5ns |
| Tr | 7.5ns |
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Td(вкл) | 8.8ns |
| Td(выкл) | 22ns |
| Coss eq | 88pF |
| Корпус | TO-220 |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Diode is | 5.5A |
| Diode vf | 1.6V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Общий заряд затвора | 10nC |
| Diode qrr | 1.65μC |
| Diode trr | 265ns |
| Ток стока импульсный | 22A |
| Ciss input | 320pF |
| Diode irrm | 12.5A |
| Dvdt diode | 15V/ns |
| Pd макс. 25°C | 60W |
| Rds(вкл) макс. | 0.78Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.72Ω |
| Технология | MDmesh II Plus low Qg |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Coss output | 18pF |
| Артикул | STP9N60M2 |
| Avalanche eas | 105mJ |
| Avalanche iar | 2A |
| Qg gate drain | 5.1nC |
| Qg gate source | 2nC |
| Dvdt ruggedness | 50V/ns |
| Diode ism pulsed | 22A |
| Ток стока непрерывный 25C | 5.5A |
| Непрерывный ток 100°C | 3.6A |
| Сопротивление затвора | 6.5Ω |
| Альтернативный корпус | DPAK, IPAK |
| Crss reverse transfer | 0.68pF |
| Условие измерения сопротивления сток-исток | Vgs=10V, Id=3A |
| Vgs th test condition | Vds=Vgs, Id=250μA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.08°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 9 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?