Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 3.7 мОм
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
8 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,97 |
| от 11 | 31,08 |
| от 19 | 29,81 |
| от 50 | 28,37 |
| от 100 | 26,88 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 30 В и токе до 80 А, сопротивление открытого канала — всего 3.7 мОм. Выполнен в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Маркировка | 95N3LLH6 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 23.4ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 91ns |
| Технология | STripFET VI DeepGATE |
| Название продукта | STP95N3LLH6 |
| Корпус | TO-220AB |
| Коэф. сниж. | 0.47W/°C |
| Заряд сток-затвор | 7.5nC |
| Вх. емкость | 2200pF |
| Полный заряд затвора | 20nC |
| Заряд затвор-исток | 8.2nC |
| Выходная емкость | 400pF |
| Время задержки включения | 19ns |
| Время задержки выключения | 24.5ns |
| Drain current pulsed | 320A |
| Время обратного восстановления | 28.6ns |
| Gate threshold voltage | 1V min, 2.5V max |
| Power dissipation tc25 | 70W |
| Avalanche energy single | 150mJ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 22.8nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Reverse recovery current | 1.6A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Обратная проходная емкость | 280pF |
| Source drain forward voltage | 1.1V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Drain current continuous tc25 | 80A |
| Drain current continuous tc100 | 61A |
| Drain source on resistance vgs10 | 0.0042Ω typ, 0.0047Ω max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.14°C/W |
| Drain source on resistance vgs4 5 | 0.006Ω typ, 0.0075Ω max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?