Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 140Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
113 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:113 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 156,77 |
| от 9 | 154,47 |
| от 18 | 151,52 |
| от 35 | 147,46 |
| от 100 | 142,03 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 800 В, ток до 6.2 А и мощность 140 Вт в корпусе TO-220. Оснащён встроенной защитой от статического электричества. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Качество | 100% avalanche tested, Zener-protected |
| Размеры | Standard TO-220 (body thickness 4.4-4.6mm, other dimensions per datasheet) |
| Технология | SuperMESH |
| Корпус | TO-220 |
| On resistance | 1.5Ω max |
| Рейтинг ЭСР HBM | 4000V |
| Способ монтажа | THT |
| Avalanche energy | 300mJ |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Вх. емкость | 1320pF |
| Полный заряд затвора | 46nC |
| Выходная емкость | 143pF |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Напряжение сток-исток | 800V |
| Импульсный ток стока | 24.8A |
| Напр. диода | 1.6V |
| Время обратного восстановления | 460ns |
| Gate threshold voltage | 3V to 4.5V |
| Общая рассеиваемая мощность | 140W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 6.2A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 27pF |
| Описание (англ.) | N-channel 800 V, 1.3 Ohm, 6.2 A, TO-220 Zener-protected |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.89°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?