Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт250,17 ₽
Сумма1 250,85 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии200 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 10 — 235,01 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 250,85 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 049,15 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 250,85 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 120 В и токе до 80 А с мощностью рассеивания 300 Вт, корпус TO-220. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 115ns |
| Время нарастания | 145ns |
| Размеры | D1: 1.27mm; L20: 16.40mm; L30: 28.90mm; A max: 4.60mm; A min: 4.40mm; D max: 15.75mm; D min: 15.25mm; E max: 10.40mm; E min: 10mm; F max: 1.32mm; F min: 1.23mm; L max: 14mm; L min: 13mm; P max: 3.85mm; P min: 3.75mm; Q max: 2.95mm; Q min: 2.65mm; B max: 0.88mm; B min: 0.61mm; C max: 0.70mm; C min: 0.48mm; E max: 2.70mm; E min: 2.40mm; H1 max: 6.60mm; H1 min: 6.20mm; J1 max: 2.72mm; J1 min: 2.40mm; L1 max: 3.93mm; L1 min: 3.50mm; B1 max: 1.70mm; B1 min: 1.14mm; E1 max: 5.15mm; E1 min: 4.95mm |
| Описание | N-channel 120 V, 0.013 Ω typ., 80 A, STripFET II Power MOSFET in TO-220 package |
| Артикул | STP80NF12 |
| Коэф. сниж. | 2.0W/°C |
| Заряд сток-затвор | 51nC |
| Вх. емкость | 4300pF |
| Заряд затвор-исток | 23nC |
| Выходная емкость | 600pF |
| Время задержки включения | 40ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 175°C |
| Время задержки выключения | 134ns |
| Импульсный ток стока | 320A |
| Напряжение сток-исток | 120V |
| Мощн. рас. 25°C | 300W |
| Время обратного восстановления | 155ns |
| Заряд затвора макс. | 189nC |
| Тип. заряд затвора | 140nC |
| Заряд обратного восстановления | 0.85µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 120V |
| Обратный ток восстановления | 11A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 10V/ns |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Source drain current pulsed | 320A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 80A |
| Тип. прямая крутизна | 80S |
| Обратная проходная емкость | 230pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 120V 80A TO-220, 300W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 60A |
| Энергия одиноч. импульса | 350mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 120V |
| Max lead soldering temperature | 300°C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175°C |
| Source drain current continuous | 80A |
| Source drain forward on voltage | 1.3V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 10µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.018Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.013Ω |
| Напряжение, В | 120 |
| Ток, А | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?