Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
9 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:9 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 169,23 |
| от 8 | 166,81 |
| от 16 | 163,70 |
| от 32 | 159,44 |
| от 100 | 153,67 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 100 В, ток до 38 А, мощность рассеивания 300 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Vds | 100V |
| Тип | N-channel MOSFET |
| Td(вкл) | 40ns |
| Td(выкл) | 134ns |
| Корпус | TO-220FP |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | THT |
| Ток стока импульсный | 152A |
| Код заказа | STP80NF10FP |
| Rds(вкл) макс. | 0.015Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.012Ω |
| Технология | STripFET II |
| Время спада | 115ns |
| Время нарастания | 145ns |
| Корпус | TO-220F |
| Коэф. сниж. | 0.3W/°C |
| Dvdt capability | 9V/ns |
| Package marking | P80NF10FP |
| Diode conditions | Isd=80A, Vgs=0 |
| Заряд сток-затвор | 51nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 38A |
| Рассеиваемая мощность | 45W |
| Rds on conditions | Vgs=10V, Id=40A |
| Макс. пороговое Vgs | 4V |
| Мин. пороговое Vgs | 2V |
| Vgs threshold typ | 3V |
| Заряд затвор-исток | 23nC |
| Непрерывный ток 100°C | 27A |
| Package mechanical | A: 4.5mm (4.4-4.6); B: 2.6mm (2.5-2.7); D: 2.625mm (2.5-2.75); E: 0.575mm (0.45-0.7); F: 0.875mm (0.75-1); G: 5.075mm (4.95-5.2); H: 10.2mm (10-10.4); F1: 1.425mm (1.15-1.7); F2: 1.425mm (1.15-1.7); G1: 2.55mm (2.4-2.7); L2: 16mm; L3: 29.6mm (28.6-30.6); L4: 10.2mm (9.8-10.6); L5: 3.25mm (2.9-3.6); L6: 16.15mm (15.9-16.4); L7: 9.15mm (9-9.3); Диаметр отверстия: 3.1mm (3-3.2) |
| Avalanche conditions | Tj=25°C, Id=80A, Vdd=50V |
| Diode pulsed current | 152A |
| Switching conditions | Vdd=50V, Id=40A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V |
| Diode forward current | 38A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Gate charge total max | 189nC |
| Gate charge total typ | 140nC |
| Capacitance conditions | Vds=25V, f=1MHz, Vgs=0 |
| Входная емкость Ciss | 4300pF |
| Gate charge conditions | Vdd=80V, Id=80A, Vgs=10V |
| Выходная емкость Coss | 600pF |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Diode recovery conditions | Isd=80A, Vdd=50V, di/dt=100A/µs, Tj=150°C |
| Diode reverse recovery time | 155ns |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V DC |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP |
| Avalanche energy single pulse | 350mJ |
| Diode reverse recovery charge | 850nC |
| Diode reverse recovery current | 11A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.33°C/W |
| Обр. проходная емкость Crss | 230pF |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?