Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
66 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт256,46 ₽
Сумма1 282,30 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии66 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 5 штюрлицам и ИП
от 10 — 240,86 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 282,30 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 017,70 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
5 шт · Склад 13 · 1 282,30 ₽
Описание
STP80NF10 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Компонент рассчитан на рабочее напряжение до 100 В и ток до 80 А, обеспечивая рассеиваемую мощность 300 Вт. Благодаря технологии STripFET™ отличается низким сопротивлением открытого канала, что делает его эффективным решением для импульсных источников питания и силовых преобразователей.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Особенности | Exceptional dv/dt capability, 100% Avalanche tested, Low gate charge |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 60ns |
| Время нарастания | 80ns |
| Технология | STripFET II |
| Применение | Switching applications, DC-DC converters |
| Коэф. сниж. | 2W/°C |
| Энергия лавины | 350mJ |
| Заряд сток-затвор | 51.3nC |
| Вх. емкость | 5500pF |
| Рассеиваемая мощность | 300W |
| Полный заряд затвора | 135nC typ, 182nC max |
| Заряд затвор-исток | 23nC |
| Выходная емкость | 700pF |
| Время задержки включения | 26ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to 175°C |
| Время задержки выключения | 116ns |
| Импульсный ток стока | 320A |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Source drain current | 80A |
| Время обратного восстановления | 106ns |
| Пороговое напряжение затвора | 2V min, 3V typ, 4V max |
| Package mechanical data | A: 4.40-4.60mm; D: 15.25-15.75mm; E: 10.00-10.40mm; F: 1.23-1.32mm; Индуктивность: 13.00-14.00mm; P: 3.75-3.85mm; Q: 2.65-2.95mm; B: 0.61-0.88mm; C: 0.48-0.70mm; E: 2.40-2.70mm; D1: 1.27mm; H1: 6.20-6.60mm; J1: 2.40-2.72mm; L1: 3.50-3.93mm; B1: 1.14-1.70mm; E1: 4.95-5.15mm; L20: 16.40mm; L30: 28.90mm |
| Заряд обратного восстановления | 450nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 50S |
| Обратный ток восстановления | 8.5A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Сопротивление сток-исток | 0.012Ω (typ), 0.015Ω (max) |
| Source drain current pulsed | 320A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 80A |
| Обратная проходная емкость | 175pF |
| Описание (англ.) | N-MOS 100V, 80A, 300W |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 80A |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175°C |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 500nA (max), 10µA @125°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.5°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 7V/ns |
| Source drain diode forward voltage | 1.3V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?