Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 318 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 218 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 102,32 |
| от 23 | 94,98 |
| от 50 | 89,00 |
| от 100 | 84,53 |
| от 200 | 81,19 |
Склад 12
В наличии:100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
Минимальная партия: 80 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,77 |
| от 8 | 75,36 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 800 В, ток до 5.2 А и мощность 30 Вт, выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей напряжения в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Особенности | Extremely high dv/dt capability, 100% avalanche tested, Gate charge minimized, Very low intrinsic capacitances, Very good manufacturing repeatability |
| Тип монтажа | THT |
| ESD рейтинг | 4000V (HBM) |
| Тип упаковки | TO-220FP |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип. время нарастания | 12ns |
| Zener protected | Да |
| Avalanche energy | 210mJ |
| Dv dt capability | 4.5V/ns |
| Лавинный ток | 5.2A |
| Макс. R вкл. | 1.8Ω |
| On resistance typ | 1.5Ω |
| Рассеиваемая мощность | 30W |
| Turn on delay typ | 20ns |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Turn off delay typ | 45ns |
| Drain current pulsed | 20.8A |
| Напряжение сток-исток | 800V |
| Тип. заряд затвор-сток | 21nC |
| Тип. входная емкость | 1138pF |
| Заряд затвора макс. | 56nC |
| Тип. заряд затвора | 40nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 7nC |
| Выходная емкость тип. | 122pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Напр. диода макс. | 1.6V |
| Тип. время восст. | 530ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 800V, 5.2A, 30W |
| Drain current continuous at 25c | 5.2A |
| Drain current continuous at 100c | 3.3A |
| Обр. проходная емкость тип. | 25pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 4.2°C/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?