Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 585 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 585 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 127,57 |
| от 6 | 125,29 |
| от 12 | 122,19 |
| от 24 | 117,48 |
| от 50 | 110,54 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 900 В, ток до 5.8 А и мощность 30 Вт в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Ecopack | Да |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 20ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 45ns |
| Технология | Zener-protected SuperMESH |
| Typical rds on | 1.56Ω |
| Cross over time | 20ns |
| Коэф. сниж. | 0.24W/°C |
| Время задержки включения | 17ns |
| Время задержки выключения | 20ns |
| Drain current pulsed | 23.2A |
| Total gate charge qg | 46.5nC (typ), 60.5nC (max) |
| Avalanche current iar | 5.8A |
| Gate drain charge qgd | 25nC |
| Off voltage rise time | 11ns |
| Gate source charge qgs | 8.5nC |
| Input capacitance ciss | 1350pF |
| Gate source voltage vgs | ±30V |
| Output capacitance coss | 130pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain source voltage vds | 900V |
| Power dissipation tc 25c | 30W |
| Source drain voltage vsd | 1.6V |
| Reverse recovery time trr | 840ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Reverse recovery charge qrr | 5880µC |
| Drain current continuous 25c | 5.8A |
| Forward transconductance gfs | 5S |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 900V, 5.8A, 30W |
| Drain current continuous 100c | 3.65A |
| Gate threshold voltage vgs th | 3V to 4.5V |
| Reverse recovery current irrm | 14A |
| Gate source zener voltage bvgso | 30V |
| Drain source on resistance rds on | <2Ω |
| Reverse transfer capacitance crss | 26pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 300mJ |
| Max lead temperature for soldering | 300°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Equivalent output capacitance coss eq | 70pF |
| Thermal resistance junction case rthjc | 4.2°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope dv dt | 4.5V/ns |
| Thermal resistance junction ambient rthja | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 900 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?