Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
518 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:518 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 53,88 |
| от 25 | 52,69 |
| от 50 | 51,08 |
| от 100 | 48,85 |
| от 200 | 46,32 |
Описание
STP6NK60ZFP — это силовой N-канальный MOSFET-транзистор производства STMicroelectronics. Компонент рассчитан на напряжение 600 В и ток 6 А при мощности рассеивания 32 Вт, выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Благодаря технологии SuperMESH обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую устойчивость к лавинному пробою. Применяется в импульсных источниках питания, AC/DC-преобразователях и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 19ns |
| Время нарастания | 14ns |
| ESD рейтинг | 3500V (HBM) |
| Технология | Zener-Protected SuperMESH |
| Артикул | STP6NK60ZFP |
| Коэф. сниж. | 0.24 W/°C |
| Avalanche energy | 210mJ |
| Dv dt capability | 4.5 V/ns |
| Лавинный ток | 6A |
| Заряд сток-затвор | 17nC |
| Вх. емкость | 905pF |
| Рассеиваемая мощность | 30W |
| Полный заряд затвора | 33nC typ, 46nC max |
| Заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость | 115pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Время задержки выключения | 47ns |
| Drain current pulsed | 24A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Max lead temperature | 300°C |
| Время обратного восстановления | 445ns |
| Gate threshold voltage | 3V min, 3.75V typ, 4.5V max |
| Заряд обратного восстановления | 2.7µC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 5S min |
| Reverse recovery current | 12A |
| Gate body leakage current | ±10µA max |
| Drain source on resistance | 1Ω typ, 1.2Ω max at VGS=10V, ID=3A |
| Source drain diode current | 6A |
| Drain current continuous 25c | 6A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V DC |
| Обратная проходная емкость | 25pF |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 600V, 6A, 32W |
| Drain current continuous 100c | 3.8A |
| Equivalent output capacitance | 56pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600V |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current | 1µA max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 4.2 °C/W |
| Source drain diode pulsed current | 24A |
| Source drain diode forward voltage | 1.6V max |
| Gate source zener breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA max |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?