Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
2 343 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт103,40 ₽
Сумма1 034,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 343 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 50 — 96,74 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 034,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 266,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 034,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 6 А и мощности 104 Вт, выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | SuperMESH |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Описание | N-channel 600 V - 1.2 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
| Артикул | STP6NK60Z |
| Время спада | 19ns |
| Время нарастания | 14ns |
| Коэф. сниж. | 0.88W/C |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Темп. хранения | -55 to 150C |
| Общий заряд затвора (Qg) | 46nC |
| Лавинный ток IAR | 6A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 17nC |
| Forward on voltage vsd | 1.6V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 6nC |
| Входная ёмкость Ciss | 905pF |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 110W |
| Gate source esd voltage | 3500V |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-30V |
| Выходная ёмкость Coss | 115pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 24A |
| Source drain current isd | 6A |
| Задержка включения (td on) | 14ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 600V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Время обратного восстановления | 445ns |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Задержка выключения | 47ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 2.7uC |
| Прямая крутизна (gfs) | 5S |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 600V, 6A, 104W |
| Drain current continuous tc25 | 6A |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | 3 to 4.5V |
| Reverse recovery current irrm | 12A |
| Drain current continuous tc100 | 3.8A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | +/-10uA |
| Max lead soldering temperature | 300C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150C |
| Source drain current pulsed isdm | 24A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.14C/W |
| Drain source on resistance rds on | 1.2Ohm |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 25pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 210mJ |
| Gate source zener breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5C/W |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1uA |
| Equivalent output capacitance coss eq | 56pF |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 50uA |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?