Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65А 0.015 Ом, 110Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
805 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт79,68 ₽
Сумма796,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии805 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 27 — 73,80 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 796,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 503,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 796,80 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 60 В, ток до 65 А, сопротивление открытого канала всего 0.015 Ом при мощности 110 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | P65NF06 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 16ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 60ns |
| Описание | N-channel 60V - 11.5mΩ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP65NF06 |
| Коэф. сниж. | 0.73W/°C |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Заряд сток-затвор | 20nC |
| Вх. емкость | 1700pF |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 10nC |
| Выходная емкость | 400pF |
| Время задержки включения | 15ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 40ns |
| Импульсный ток стока | 240A |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Source drain current | 60A |
| Время обратного восстановления | 70ns |
| Total dissipation 25c | 110W |
| Заряд затвора макс. | 75nC |
| Тип. заряд затвора | 54nC |
| Заряд обратного восстановления | 150nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 50S |
| Обратный ток восстановления | 4.4A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 10V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Source drain current pulsed | 240A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 60A |
| Обратная проходная емкость | 135pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 42A |
| Энергия одиноч. импульса | 390mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Макс. температура пайки выводов | 300°C |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Макс. рабочая температура перехода | 175°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 10µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 14mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 11.5mΩ |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 65 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?