Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
4 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,50 |
| от 26 | 46,44 |
| от 50 | 44,99 |
| от 150 | 43,00 |
| от 250 | 40,74 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 33 В и токе до 62 А, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | MESH OVERLAY |
| Корпус | TO-220AB |
| Рейтинг ЭСР HBM | 8kV |
| Коэф. сниж. | 0.74W/°C |
| Тип. время спада | 42ns |
| Макс. R вкл. | 15mΩ |
| Тип. время нарастания | 104ns |
| Размеры упаковки | A=4.4-4.6mm, b=0.61-0.88mm, c=0.48-0.7mm, D=15.25-15.75mm, E=10-10.4mm, e=2.4-2.7mm, L=13-14mm, Q=2.65-2.95mm |
| Макс. прямое напряжение | 1.5V |
| Avalanche conditions | T_J=25°C, I_D=20A, V_DD=20V |
| Drain current pulsed | 248A |
| On resistance typical | 12.5mΩ |
| Заряд затвора макс. | 47nC |
| Capacitance conditions | V_DS=25V, f=1MHz |
| Gate charge conditions | V_DD=20V, I_D=40A, V_GS=10V |
| Напряжение затвор-исток макс. | 18V (clamped) |
| Power dissipation tc25c | 110W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 33V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| On resistance conditions | V_GS=10V, I_D=30A |
| Gate drain charge typical | 11.5nC |
| Типовая входная емкость | 1330pF |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Total gate charge typical | 34nC |
| Gate source charge typical | 10nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. выходная емкость | 420pF |
| Turn on delay time typical | 13ns |
| Source drain pulsed current | 248A |
| Switching timing conditions | V_DD=20V, I_D=20A, R_G=4.7Ω, V_GS=10V |
| Turn off delay time typical | 41ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 33V 62A TO-220 |
| Avalanche energy single pulse | 500mJ |
| Reverse recovery time typical | 45ns |
| Drain current continuous tc25c | 62A |
| Lead soldering temperature max | 300°C |
| Drain current continuous tc100c | 37.5A |
| Reverse recovery charge typical | 65nC |
| Source drain continuous current | 62A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Gate threshold voltage conditions | V_DS=V_GS, I_D=250µA |
| Peak diode recovery voltage slope | 8V/ns |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Reverse transfer capacitance typical | 135pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?