Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
680 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:480 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 126,49 |
| от 18 | 117,85 |
| от 36 | 110,80 |
| от 100 | 105,55 |
| от 150 | 101,63 |
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 87,98 |
| от 8 | 80,76 |
Описание
STP60NF06 — это N-канальный полевой MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Компонент рассчитан на ток до 60 А и напряжение до 60 В, рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Применяется в схемах коммутации, импульсных источниках питания и силовых преобразователях, где важны низкое сопротивление канала и высокая эффективность.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Тип монтажа | THT |
| Шаг выводов | 2.4 to 2.7mm |
| Артикул | STP60NF06 |
| Тип упаковки | TO-220 |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина корпуса | 10 to 10.4mm |
| Высота корпуса | 4.4 to 4.6mm |
| Длина корпуса | 15.25 to 15.75mm |
| Коэф. сниж. | 0.74W/°C |
| Dv dt capability | 7.5V/ns |
| Заряд сток-затвор | 23nC |
| Заряд затвор-исток | 9nC |
| Current drain pulsed | 240A |
| Avalanche current max | 30A |
| Тип. входная емкость | 1660pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 110W |
| Заряд затвора макс. | 73nC |
| Тип. заряд затвора | 54nC |
| Выходная емкость тип. | 400pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Switching fall time typ | 20ns |
| Switching rise time typ | 65ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Voltage drain source max | 60V |
| Body diode recovery di dt | 100A/µs |
| Тип. время восст. | 70ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. заряд восст. | 185nC |
| Switching turn on delay typ | 15ns |
| Current drain continuous 25C | 60A |
| Forward transconductance typ | 50S |
| Switching turn off delay typ | 45ns |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 60V, 60A, 110W |
| Avalanche energy single pulse | 370mJ |
| Current drain continuous 100C | 42A |
| Reverse recovery current peak | 5A |
| Resistance drain source on max | 0.016Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.014Ω |
| Обр. проходная емкость тип. | 140pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Source drain diode current pulsed | 240A |
| Breakdown voltage drain source min | 60V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Source drain diode current continuous | 60A |
| Source drain diode forward voltage typ | 1.3V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?