Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
607 шт.
Норм. уп.: 8
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт82,05 ₽
Сумма656,40 ₽
В наличии140 шт
от 8 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии467 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
продаётся от 10 штпри 10 — 128,04 ₽
8 шт · Склад 12 · 656,40 ₽
Описание
STP60NF06 — это N-канальный полевой MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Компонент рассчитан на ток до 60 А и напряжение до 60 В, рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Применяется в схемах коммутации, импульсных источниках питания и силовых преобразователях, где важны низкое сопротивление канала и высокая эффективность.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Маркировка | P60NF06 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 20 ns |
| Упаковка | трубка |
| Время нарастания | 65 ns |
| Шаг выводов | 2.4 to 2.7mm |
| Описание | N-channel 60V - 0.014 ohm - 60A TO-220 STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP60NF06 |
| Размеры мм | D1: 1.27; L20: 16.4; L30: 28.9; A max: 4.6; A min: 4.4; D max: 15.75; D min: 15.25; E max: 10.4; E min: 10; F max: 1.32; F min: 1.23; L max: 14; L min: 13; Q max: 2.95; Q min: 2.65; B max: 0.88; B min: 0.61; C max: 0.7; C min: 0.49; E max: 2.7; E min: 2.4; H1 max: 6.6; H1 min: 6.2; J1 max: 2.72; J1 min: 2.4; L1 max: 3.93; L1 min: 3.5; B1 max: 1.7; B1 min: 1.14; E1 max: 5.15; E1 min: 4.95; ThetaP max: 3.85; ThetaP min: 3.75 |
| Ширина корпуса | 10 to 10.4mm |
| Высота корпуса | 4.4 to 4.6mm |
| Длина корпуса | 15.25 to 15.75mm |
| Коэф. сниж. | 0.74W/°C |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Dv dt capability | 7.5V/ns |
| Лавинный ток | 30A |
| Напряжение пробоя | 60V |
| Заряд сток-затвор | 23nC |
| Вх. емкость | 1660 pF |
| Forward on voltage | 1.3V |
| Заряд затвор-исток | 9nC |
| Выходная емкость | 400 pF |
| Время задержки включения | 15 ns |
| Структура | N-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Импульсный ток стока | 240A |
| Импульсный ток стока | 240A |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Source drain current | 60A |
| Макс. лавинный ток | 30A |
| Тип. входная емкость | 1660pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 110W |
| Время обратного восстановления | 70 ns |
| Total dissipation 25c | 110W |
| Заряд затвора макс. | 73nC |
| Тип. заряд затвора | 54nC |
| Выходная емкость тип. | 400pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 185 nC |
| Время спада, тип. | 20ns |
| Время нарастания, тип. | 65ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 50 S |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Макс. темп. перехода | 175 °C |
| Обратный ток восстановления | 5A |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Body diode recovery di dt | 100A/µs |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 7.5 V/ns |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100 nA |
| Тип. время восст. | 70ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. заряд восст. | 185nC |
| Source drain current pulsed | 240A |
| Switching turn on delay typ | 15ns |
| Current drain continuous 25C | 60A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 60A |
| Тип. прямая крутизна | 50S |
| Обратная проходная емкость | 140 pF |
| Switching turn off delay typ | 45ns |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 60V, 60A, 110W |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 370mJ |
| Current drain continuous 100C | 42A |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 42A |
| Reverse recovery current peak | 5A |
| Энергия одиноч. импульса | 370 mJ |
| Max lead soldering temperature | 300 °C |
| Сопротивление сток-исток, макс. | 0.016Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.014Ω |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1 µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 140pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Source drain diode current pulsed | 240A |
| Breakdown voltage drain source min | 60V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 10 µA |
| Source drain diode current continuous | 60A |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.016 ohm |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.014 ohm |
| Source drain diode forward voltage typ | 1.3V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 60 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?