+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STP5NK80ZFP
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.3А 30Вт

Артикул:808852
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
550 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1133,81
от 17124,81
от 33117,46
от 100111,99
от 150107,90
Склад 12
В наличии:50 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1175,95
от 5160,22
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 800 В, токе до 4,3 А и мощности 30 Вт, выпускается в корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
E as190mJ
T rr500ns
C iss910pF
C oss98pF
C rss20pF
P tot30W
T stg-55°C to 150°C
V dss800V
Bv gso30V
ЭСР HBM3500V
КорпусTO-220FP
Q g max45.5nC
Q g typ32.4nC
R th jc4.2°C/W
Тип монтажаTHT
V bd dss800V
V gs max±30V
V sd max1.6V
I d pulsed17.2A
R ds on max2.4Ω
R ds on typ1.9Ω
V gs th max4.5V
V gs th min3V
V gs th typ3.75V
Размеры a4.4mm to 4.6mm
Размеры b2.5mm to 2.7mm
Размеры d2.5mm to 2.75mm
Размер E0.45mm to 0.7mm
Размеры F0.75mm to 1mm
Dimensions g4.95mm to 5.2mm
Размер H10mm to 10.4mm
Dv dt rating4.5V/ns
КорпусTO-220FP
Dimensions f11.15mm to 1.7mm
Dimensions f21.15mm to 1.7mm
Dimensions g12.4mm to 2.7mm
Габариты L216mm
Размер L328.6mm to 30.6mm
Dimensions l49.8mm to 10.6mm
Dimensions l52.9mm to 3.6mm
Dimensions l615.9mm to 16.4mm
T j operating-55°C to 150°C
I d continuous4.3A
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)N-MOS+D 800V, 4.3A, 30W

Заметили ошибку в описании или параметрах?