Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
115 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:115 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 138,83 |
| от 16 | 129,56 |
| от 32 | 122,00 |
| от 100 | 116,37 |
| от 150 | 112,17 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 600 В, ток до 5 А и мощность 90 Вт в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Ptot | 25W |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Корпус | TO-220FP |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 25ns |
| Ток стока импульсный | 20A |
| Rdson max | 1.6Ω |
| Rdson typ | 1.2Ω |
| Время нарастания | 25ns |
| Размеры | L2: 16mm; A max: 4.6mm; A min: 4.4mm; B max: 2.7mm; B min: 2.5mm; D max: 2.75mm; D min: 2.5mm; E max: 0.7mm; E min: 0.45mm; F max: 1mm; F min: 0.75mm; G max: 5.2mm; G min: 4.95mm; H max: 10.4mm; H min: 10mm; F1 max: 1.7mm; F1 min: 1.15mm; F2 max: 1.7mm; F2 min: 1.15mm; G1 max: 2.7mm; G1 min: 2.4mm; L3 max: 30.6mm; L3 min: 28.6mm; L4 max: 10.6mm; L4 min: 9.8mm; L5 max: 3.6mm; L5 min: 2.9mm; L6 max: 16.4mm; L6 min: 15.9mm; L7 max: 9.3mm; L7 min: 9mm; Макс. диаметр: 3.2mm; Diameter min: 3mm |
| Технология | SuperMESH |
| Cross over time | 24ns |
| Лавинный ток | 5A |
| Ток стока непрерывный 25C | 5A |
| Макс. пороговое Vgs | 4.5V |
| Мин. пороговое Vgs | 3V |
| Vgs threshold typ | 3.75V |
| Непрерывный ток 100°C | 3.16A |
| Время задержки включения | 16ns |
| Gate source esd hbm | 3000V |
| Время задержки выключения | 36ns |
| Total gate charge qg | 26nC typ, 34nC max |
| Gate drain charge qgd | 20nC |
| Off voltage rise time | 12ns |
| Время обратного восстановления | 485ns |
| Gate source charge qgs | 6nC |
| Input capacitance ciss | 690pF |
| Output capacitance coss | 90pF |
| Заряд обратного восстановления | 2.7µC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 4S |
| Reverse recovery current | 11A |
| Source drain current pulsed | 20A |
| Source drain forward voltage | 1.6V |
| Описание (англ.) | MOSFET N- 600V; 5A; 90W; 1.2 Ohm supermesh |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Энергия одиноч. импульса | 220mJ |
| Lead temperature for soldering | 300°C |
| Insulation withstand voltage dc | 2500V |
| Source drain current continuous | 5A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 4.5V/ns |
| Reverse transfer capacitance crss | 20pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Equivalent output capacitance coss eq | 40pF |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?