Документация
Транзистор полевой STP5NK52ZD / N-канал, TO-220, 4.4А, 500В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
491 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:491 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,75 |
| от 37 | 52,26 |
| от 100 | 48,58 |
| от 150 | 45,82 |
| от 300 | 43,76 |
Описание
Полевой транзистор STP5NK52ZD от STMicroelectronics — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220. Рассчитан на ток 4.4 А и напряжение 500 В, оснащён встроенным защитным диодом. Применяется в импульсных источниках питания, блоках инверторов и схемах управления двигателями, где важна высокая эффективность переключения.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 13.6ns |
| Защита | Zener-protected |
| Технология | SuperMESH |
| Артикул | STP5NK52ZD |
| Тип. время спада | 15ns |
| Тип. время нарастания | 13.6ns |
| Dvdt capability | 15V/ns |
| Avalanche energy | 170mJ |
| Avalanche tested | 100% |
| Лавинный ток | 4.4A |
| Заряд сток-затвор | 8.4nC |
| Вх. емкость | 529pF |
| Рассеиваемая мощность | 70W |
| Полный заряд затвора | 16.9nC |
| Esd capability hbm | 2800V |
| Заряд затвор-исток | 4.2nC |
| Выходная емкость | 71pF |
| Время задержки включения | 11.4ns |
| Время задержки выключения | 23.1ns |
| Current drain pulsed | 17.6A |
| Drain current pulsed | 17.6A |
| Avalanche current max | 4.4A |
| Мин. пробойное напр. | 520V |
| Напр. диода | 1.6V |
| Тип. заряд затвор-сток | 8.4nC |
| Тип. входная емкость | 529pF |
| Мощн. рас. 25°C | 70W |
| Время обратного восстановления | 97.7ns |
| Тип. заряд затвора | 16.9nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 4.2nC |
| Выходная емкость тип. | 71pF |
| Время задержки вкл. тип. | 11.4ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 300nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 23.1ns |
| Current drain continuous | 4.4A |
| Макс. напряжение сток-исток | 520V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Reverse recovery current | 5.9A |
| Voltage drain source max | 520V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Reverse recovery time 25c | 97.7ns |
| Esd capability gate source | 2800V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Reverse recovery time 150c | 139ns |
| Reverse recovery charge 25c | 300nC |
| Drain current continuous 25c | 4.4A |
| Forward transconductance typ | 3.1S |
| Reverse recovery charge 150c | 500nC |
| Обратная проходная емкость | 13.4pF |
| Drain current continuous 100c | 2.7A |
| Энергия одиноч. импульса | 170mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 520V |
| Макс. Rси вкл. | 1.5Ω |
| Drain source on resistance typ | 1.22Ω |
| Lead soldering temperature max | 300°C |
| Resistance drain source on max | 1.5Ω |
| Resistance drain source on typ | 1.22Ω |
| Reverse recovery time high temp | 139ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 13.4pF |
| Source drain forward voltage typ | 1.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.78°C/W |
| Equivalent output capacitance typ | 11pF |
| Reverse recovery charge high temp | 500nC |
| Reverse recovery current peak 25c | 5.9A |
| Source drain diode pulsed current | 17.6A |
| Reverse recovery current high temp | 7.2A |
| Reverse recovery current peak 150c | 7.2A |
| Gate source zener breakdown voltage | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Source drain diode continuous current | 4.4A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?