
Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
380 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:380 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 193,13 |
| от 7 | 190,46 |
| от 14 | 187,07 |
| от 28 | 182,45 |
| от 50 | 176,15 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 1000 В, ток до 3.5 А и мощность 125 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для применения в импульсных источниках питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Маркировка | P5NK100Z |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Технология | SuperMESH3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Материал выводов | tin-plated |
| Лавинный ток | 3.5A |
| Напряжение сток-исток | 1000V |
| Импульсный ток стока | 14A |
| Тип. входная емкость | 1154pF |
| Заряд затвора макс. | 59nC |
| Тип. заряд затвора | 42nC |
| Выходная емкость тип. | 106pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Power dissipation at 25c | 125W |
| Gate source esd withstand | 4000V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Тип. время восст. | 605ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Тип. заряд восст. | 3.09µC |
| Forward transconductance typ | 4S |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 |
| Avalanche energy single pulse | 250mJ |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Reverse recovery time typ 150c | 742ns |
| Continuous drain current at 25c | 3.5A |
| Continuous drain current at 100c | 2.2A |
| Reverse recovery charge typ 150c | 4.2µC |
| Обр. проходная емкость тип. | 21.3pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 3.7Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 2.7Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?