+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STP5NK100Z
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт

Артикул:808849
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
380 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:380 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1193,13
от 7190,46
от 14187,07
от 28182,45
от 50176,15
Описание

Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 1000 В, ток до 3.5 А и мощность 125 Вт, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для применения в импульсных источниках питания и силовой электронике.

Технические характеристики
ТипN-channel Power MOSFET
МаркировкаP5NK100Z
КорпусTO-220
Тип монтажаTHT
Тип корпусаTO-220
ТехнологияSuperMESH3
КорпусTO-220AB
Материал выводовtin-plated
Лавинный ток3.5A
Напряжение сток-исток1000V
Импульсный ток стока14A
Тип. входная емкость1154pF
Заряд затвора макс.59nC
Тип. заряд затвора42nC
Выходная емкость тип.106pF
Напряжение затвор-исток макс.±30V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. темп. перехода150°C
Темп. перехода мин.-55°C
Power dissipation at 25c125W
Gate source esd withstand4000V
Пиковое dv/dt восстановления диода4.5V/ns
Тип. время восст.605ns
Пороговое напряжение затвора макс.4.5V
Пороговое напряжение затвора мин.3V
Тип. пороговое Uзи3.75V
Тип. заряд восст.3.09µC
Forward transconductance typ4S
Испытательное напряжение изоляции2500V
Описание (англ.)MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
Avalanche energy single pulse250mJ
Gate source breakdown voltage30V
Reverse recovery time typ 150c742ns
Continuous drain current at 25c3.5A
Continuous drain current at 100c2.2A
Reverse recovery charge typ 150c4.2µC
Обр. проходная емкость тип.21.3pF
Тепловое сопр. переход-корпус1°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда62.5°C/W
Макс. сопротивление сток-исток вкл.3.7Ω
Тип. сопротивление сток-исток2.7Ω

Заметили ошибку в описании или параметрах?