Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 3.5A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
171 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт126,55 ₽
Сумма1 265,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии171 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 20 — 124,00 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 265,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 034,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 265,50 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 950 В и ток до 3.5 А, выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных блоков питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Маркировка | 5N95K5 |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка | трубка |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | MDmesh K5 |
| Описание | N-channel 950 V, 2 Ohm typ., 3.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
| Артикул | STP5N95K5 |
| Тип канала | N-канальный |
| Время спада | 25ns |
| Время нарастания | 16ns |
| Общий заряд затвора (Qg) | 12.5nC |
| Лавинный ток IAR | 1A |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 10nC |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 2nC |
| Входная ёмкость Ciss | 220pF |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 70W |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-30V |
| Устойчивость MOSFET dv/dt | 50V/ns |
| Выходная ёмкость Coss | 17pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 14A |
| Напряжение сток-исток, В | 950V |
| Source drain current isd | 3.5A |
| Задержка включения (td on) | 12ns |
| Время обратного восстановления | 330ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150C |
| Задержка выключения | 32ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 2.2uC |
| Intrinsic gate resistance rg | 17Ohm |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220 |
| Drain current continuous tc25 | 3.5A |
| Reverse recovery current irrm | 13A |
| Drain current continuous tc100 | 2.2A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | +/-10uA |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150C |
| Reverse recovery time trr tj150 | 525ns |
| Insulation withstand voltage rms | 2500V |
| Source drain current pulsed isdm | 14A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.47C/W |
| Пороговое напряжение Vgs(th), макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора, В | 3V |
| Тип. пороговое напряжение затвора Vgs(th) | 4V |
| Reverse recovery charge qrr tj150 | 3.2uC |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 1pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 70mJ |
| Reverse recovery current irrm tj150 | 12A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5C/W |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1uA |
| Drain source on resistance rds on max | 2.5Ohm |
| Drain source on resistance rds on typ | 2Ohm |
| Gate source breakdown voltage vbr gso | 30V |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | 950V |
| Peak diode recovery voltage slope dv dt | 4.5V/ns |
| Equivalent capacitance time related co tr | 30pF |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 50uA |
| Equivalent capacitance energy related co er | 11pF |
| Напряжение, В | 950 |
| Ток, А | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?