Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
89 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт97,38 ₽
Сумма973,80 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии89 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 14 — 95,73 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 973,80 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 326,20 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 973,80 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 60 В, ток до 55 А и мощность 95 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V dss | 60V |
| Корпус | TO-220 |
| Заряд затвора, макс. | 37nC |
| Тип. заряд затвора (Qg) | 27nC |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип. время нарастания | 100ns |
| Крутизна, тип. | 30S |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Тип. заряд затвор-исток, Qgs | 7nC |
| Тип. обратный заряд | 200nC |
| Время обратного восстановления, тип. | 80ns |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±16V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | 1.6V |
| Входная ёмкость, тип. | 1700pF |
| Выходная ёмкость, тип. | 300pF |
| Проходная ёмкость, тип. | 105pF |
| Обратный ток, тип. (IRRM) | 5A |
| Общая мощность при 25 °C | 95W |
| Шаг выводов | 2.4-2.7mm |
| Тип. время включения | 20ns |
| Технология | STripFET II |
| Импульсный ток Idm | 220A |
| Длина вывода | 13-14mm |
| Артикул | STP55NF06L |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.58 °C/W |
| Тип. время выключения | 40ns |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | 1.7V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | 1V |
| I d cont 25c | 55A |
| I d cont 100c | 39A |
| Диаметр вывода | 0.61-0.88mm |
| R ds on max 5v | 0.020Ω |
| R ds on typ 5v | 0.016Ω |
| Коэф. сниж. | 0.63 W/°C |
| Макс. сопротивление сток-исток при 10 В | 0.018Ω |
| R ds on typ 10v | 0.014Ω |
| Dv/dt capability | 20V/ns |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Энергия лавинного пробоя, одиночный импульс | 300mJ |
| Ширина корпуса | 10-10.4mm |
| Высота корпуса | 4.4-4.6mm |
| Длина корпуса | 15.25-15.75mm |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Температура пайки макс. | 300°C |
| Макс. рабочая температура перехода | 175°C |
| Мин. рабочая температура перехода | -55°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 55 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?