Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
364 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт99,84 ₽
Сумма998,40 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии364 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 21 — 92,80 ₽ (−7%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 998,40 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 301,60 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 998,40 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 60 В и токе до 50 А, сопротивление открытого канала составляет всего 0,015 Ом. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Применяется в импульсных источниках питания и цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | P55NF06FP |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Описание | N-channel 60V - 0.015 Ohm - 50A - TO-220FP STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STP55NF06FP |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Коэф. сниж. | 0.20 W/degC |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 17.5nC |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 10.5nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1300pF |
| Total dissipation tc25 | 30W |
| Напряжение затвор-исток, В | +/-20V |
| Выходная ёмкость Coss | 300pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain current pulsed idm | 200A |
| Source drain current isd | 50A |
| Общий заряд затвора Qg, макс. | 60nC |
| Общий заряд затвора Qg, тип. | 44.5nC |
| Задержка включения (td on) | 20ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 60V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 7 V/ns |
| Время обратного восстановления | 75ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175 degC |
| Задержка выключения | 36ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 170nC |
| Прямая крутизна (gfs) | 18S |
| Описание (англ.) | N-CHANNEL 60V - 0.015 OHM - 50A STRIPFET II POWER MOSFET |
| Drain current continuous tc25 | 50A |
| Reverse recovery current irrm | 4.5A |
| Drain current continuous tc100 | 35A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | +/-100nA |
| Max lead soldering temperature | 300 degC |
| Insulation withstand voltage dc | 2500V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | 2V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | 3V |
| Source drain current pulsed isdm | 200A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 105pF |
| Энергия лавины одиночного импульса (EAS) | 340mJ |
| Макс. темп. перехода | 175 degC |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1uA |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | 60V |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус (RthJC) | 5 degC/W |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 10uA |
| Thermal resistance junction ambient rthjamb | 62.5 degC/W |
| Static drain source on resistance rds on max | 0.018 Ohm |
| Static drain source on resistance rds on typ | 0.015 Ohm |
Заметили ошибку в описании или параметрах?