Документация
STP55NF06, TO-220, MOSFET транзистор, ST (арт. 044606)
У поставщика
ПроизводительST
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 244 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:4 244 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 45,12 |
Описание
STP55NF06 — силовой N-канальный MOSFET-транзистор производства STMicroelectronics в корпусе TO-220. Компонент предназначен для коммутации и усиления сигналов в цепях с высокими токами, отличается низким сопротивлением открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 55 А |
| Маркировка | P55NF06 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Упаковка | трубка |
| Ширина корпуса | 10-10.40mm |
| Шаг выводов | 2.40-2.70mm |
| Технология | STripFET II |
| Высота корпуса | 4.40-4.60mm |
| Длина корпуса | 15.25-15.75mm |
| Корпус | TO-220 |
| Монтаж | Выводной |
| Тип. время спада | 15ns |
| Тип. время нарастания | 50ns |
| Коэф. сниж. | 0.73W/°C |
| Dvdt capability | 7V/ns |
| Макс. R вкл. | 0.018Ω |
| Drain current pulsed | 200A |
| Напряжение | 60 В |
| Gate charge total max | 60nC |
| Gate charge total typ | 44.5nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 17.5nC |
| Тип. входная емкость | 1300pF |
| On resistance typical | 0.015Ω |
| Мощн. рас. 25°C | 110W |
| Forward on voltage max | 1.5V |
| Тип. заряд затвор-исток | 10.5nC |
| Выходная емкость тип. | 300pF |
| Время задержки вкл. тип. | 20ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 36ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Тип. время восст. | 75ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Тип. заряд восст. | 170nC |
| Source drain pulsed current | 200A |
| Drain current continuous 25c | 50A |
| Reverse recovery current typ | 4.5A |
| Avalanche energy single pulse | 340mJ |
| Drain current continuous 100c | 35A |
| Gate body leakage current max | ±100nA |
| Source drain continuous current | 50A |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 105pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.36°C/W |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 60V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 10µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?